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半导体 corp.
TM
sot-23 情况 - 机械的 外形
BZX84C2V4
THRU
BZX84C47
表面 挂载
350mw 硅 齐纳 二极管
2.4 伏特 thru 47 伏特
r5 ( 30-march 2004)
类型 非.
齐纳
电压
V
Z
@ i
ZT
测试
电流
最大
齐纳
IMPEDENCE
最大
反转
电流
最大
齐纳
电流
最大
齐纳
电压
温度
coeff.
标记
代号
最小值 NOM 最大值
Z
ZT
@ i
ZT
Z
ZK
@ i
ZK
I
R
@ v
R
I
ZM
ΘΘ
V
Z
伏特 伏特 伏特 毫安
ΩΩ ΩΩ
毫安
µµ
一个
伏特 毫安 % / °c
BZX84C11
10.4 11 11.6 5.0 20 150 1.0 0.1 8.0 23 0.07 Y1
BZX84C12
11.4 12 12.7 5.0 25 150 1.0 0.1 8.0 21 0.07 Y2
BZX84C13
12.4 13 14.1 5.0 30 170 1.0 0.1 8.0 19 0.08 Y3
BZX84C15
13.8 15 15.6 5.0 30 200 1.0 0.05 10.5 17 0.08 Y4
BZX84C16
15.3 16 17.1 5.0 40 200 1.0 0.05 11.2 16 0.08 Y5
BZX84C18
16.8 18 19.1 5.0 45 225 1.0 0.05 12.6 14 0.08 Y6
BZX84C20
18.8 20 21.2 5.0 55 225 1.0 0.05 14.0 12 0.08 Y7
BZX84C22
20.8 22 23.3 5.0 55 250 1.0 0.05 15.4 11 0.09 Y8
BZX84C24
22.8 24 25.6 5.0 70 250 1.0 0.05 16.8 10 0.09 Y9
BZX84C27
25.1 27 28.9 2.0 80 300 0.5 0.05 18.9 9 0.09 Y10
BZX84C30
28.0 30 32.0 2.0 80 300 0.5 0.05 21.0 8 0.09 Y11
BZX84C33
31.0 33 35.0 2.0 80 325 0.5 0.05 23.1 7 0.09 Y12
BZX84C36
34.0 36 38.0 2.0 90 350 0.5 0.05 25.2 6.9 0.09 Y13
BZX84C39
37.0 39 41.0 2.0 130 350 0.5 0.05 27.3 6.4 0.09 Y14
BZX84C43
40.0 43 46.0 2.0 150 375 0.5 0.05 30.1 5.8 0.10 Y15
BZX84C47
44.0 47 50.0 2.0 170 375 0.5 0.05 32.9 5.3 0.10 Y16
含铅的 代号:
1) anode
2) 非 连接
3) cathode
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