PMBFJ113_集成电路资料查询网

april 1995 3
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 接合面 fets
pmbfj111;
pmbfj112; pmbfj113
热的 特性
T
j
=p(r
th j-t
+
R
th t
−
s
+
R
th s-一个
)
+
T
amb
注释
1. 挂载 在 一个 陶瓷的 基质, 8 mm
×
10 mm
×
0.7 mm.
2. 挂载 在 打印 电路 板.
静态的 特性
T
j
=25
°
c.
标识 参数 最大值 单位
R
th j-一个
从 接合面 至 包围的 (便条 1) 430 k/w
R
th j-一个
从 接合面 至 包围的 (便条 2) 500 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
−
I
GSS
反转 门 电流
−
V
GS
= 15 v; v
DS
=0
−
1nA
I
DSS
流 电流 V
GS
= 0; v
DS
= 15 v
PMBFJ111 20
−
毫安
PMBFJ112 5
−
PMBFJ113 2
−
−
V
(br)gss
门-源 损坏 电压
−
I
G
=1
µ
一个; v
DS
=0 40
−
V
−
V
gs(止)
门-源 截-止 电压 I
D
=1
µ
一个; v
DS
=5 v
PMBFJ111 3 10 V
PMBFJ112 1 5
PMBFJ113 0.5 3
R
ds(在)
流-源 在-阻抗 V
GS
= 0 v; v
DS
= 0.1 v
PMBFJ111
−
30
Ω
PMBFJ112
−
50
PMBFJ113
−
100

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april 1995 3 飞利浦半导体产品规格 n-频道接合面 fets pmbfj111; pmbfj112; pmbfj113 热的特性 T j =p(r th j-t + R th t − s + R th s-一个 ) + T amb 注释 1. 挂载在一个陶瓷的基质, 8 mm × 10 mm × 0.7 mm. 2. 挂载在打印电路板. 静态的特性 T j =25 ° c. 标识参数最大值单位 R th j-一个从接合面至包围的 (便条 1) 430 k/w R th j-一个从接合面至包围的 (便条 2) 500 k/w 标识参数情况最小值最大值单位 − I GSS 反转门电流 − V GS = 15 v; v DS =0 − 1nA I DSS 流电流 V GS = 0; v DS = 15 v PMBFJ111 20 − 毫安 PMBFJ112 5 − PMBFJ113 2 − − V (br)gss 门-源损坏电压 − I G =1 µ 一个; v DS =0 40 − V − V gs(止) 门-源截-止电压 I D =1 µ 一个; v DS =5 v PMBFJ111 3 10 V PMBFJ112 1 5 PMBFJ113 0.5 3 R ds(在) 流-源在-阻抗 V GS = 0 v; v DS = 0.1 v PMBFJ111 − 30 Ω PMBFJ112 − 50 PMBFJ113 − 100

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