首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:552060
 
资料名称:PMB772
 
文件大小: 196.32K
   
说明
 
介绍:
PNP SILICON POWER TRANSISTOR
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号PMB772的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
PMB772
pnp 硅 电源 晶体管
…designed 为 输出 平台 的 3 watts音频的 放大器, 电压 调整器,
直流-直流 转换器 和 接转 驱动器.
最大 比率 (
T
一个
= 25
°
c)
*pulse 测试 pw
350
µ
s, 职责 循环
典型的 标识 值 单位
集电级 根基 电压 V
CBO
-40 V
集电级 发射级 电压 V
CEO
-30 V
发射级 根基 电压 V
EBO
-5 V
集电级 电流 (直流) I
c(直流)
-3 一个
集电级 电流 (脉冲波) I
c(脉冲波)*
-7 一个
总的 电源 消耗
T
一个
=25
°
C
T
c
=25
°
C
P
tot
1
10
W
存储 温度 T
stg
-55 ~ 150
°
C
接合面 温度 T
j
150
°
C
1 : 发射级
2 : 集电级
3 : 根基
单位 在 mm
至-126 重量: 0.85g
电的 特性 (
T
一个
= 25
°
c)
**pulse 测试: pw
350
µ
s, 职责 循环
分类 的 h
fe(2)
类 r Q P E
h
fe(2)
60 至 120 100 至 200 160 至 320 200 至 400
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截止 电流 I
CBO
V
CB
=-30v, i
E
=0 - - -1
µ
一个
发射级 截止 电流 I
EBO
V
EB
=-3.0v, i
C
=0 - - -1
µ
一个
集电级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
=-2.0a, i
B
=-0.2a** - -0.3 -0.5 V
根基 饱和 电压 V
是(sat)
I
C
=-2.0a, i
B
=-0.2a** - -1 -2 V
直流 电流 增益 h
FE1
V
CE
=-2.0v, i
C
=-20ma** 30 220 - -
直流 电流 增益 h
FE2
V
CE
=-2.0v, i
C
=-1.0a** 60 160 400 -
增益 带宽 产品 f
T
V
CE
=-50v, i
C
=-0.1a - 80 - mhz
输出 电容 C
ob
V
CB
=-10v, i
E
=0, f=1.0mhz - 55 - pF
至-126
pnp 硅
电源
晶体管
P
MC
reserves 这 正确的 至 制造 改变 without 更远 注意 至 任何 产品 在此处.
P
MC
制造 非 保用单, 描述 或者 保证 关于 这
suitability 的 它的 产品 为 一个y particular purpose, 也不 做
P
MC
假设 任何 责任 产生 输出 的 这 application 或者 使用 的 任何 product 或者 电路, 和
specifically disclaims 任何 和 所有 责任, 包含 没有 limitation consequential 损坏. 这 examples 的 应用 circuits 是 提供 作 涉及 至 这
reader 因此 我们 将要 不 undertake 任何 责任 为 这 exercise 的 权利 用 第三 部.
P
mc 组件 pte 有限公司.
,
新加坡, 2000
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com