1999 Apr 15 3
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 切换 晶体管 PMBT4403
热的 特性
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 500 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=
−
40 V
−−
50 nA
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=
−
5V
−−
50 nA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=
−
1 v; (看 图.2)
I
C
=
−
0.1 毫安 30
−
I
C
=
−
1mA 60
−
I
C
=
−
10 毫安 100
−
V
CE
=
−
2V
I
C
=
−
150 毫安 100 300
I
C
=
−
500 毫安 20
−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和
电压
I
C
=
−
150 毫安; i
B
=
−
15 毫安
−−
400 mV
I
C
=
−
500 毫安; i
B
=
−
50 毫安
−−
750 mV
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
=
−
150 毫安; i
B
=
−
15 毫安
−−
950 mV
I
C
=
−
500 毫安; i
B
=
−
50 毫安
−−
1.3 V
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
=
−
10 v; f = 1 MHz
−
8.5 pF
C
e
发射级 电容 I
C
=i
c
= 0; v
EB
=
−
500 mv; f = 1 MHz
−
35 pF
f
T
转变 频率 I
C
=
−
20 毫安; v
CE
=
−
10 v; f = 100 MHz 200
−
MHz
切换 时间 (在 10% 和 90% 水平);
(看 图.3)
t
在
转变-在 时间 I
Con
=
−
150 毫安; i
Bon
=
−
15 毫安;
I
Boff
=15mA
−
40 ns
t
d
延迟 时间
−
15 ns
t
r
上升 时间
−
30 ns
t
止
转变-止 时间
−
350 ns
t
s
存储 时间
−
300 ns
t
f
下降 时间
−
50 ns
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