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µ
trenchmos™ 过激 低 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 01 — 27 二月 2004 6 的 12
9397 750 12768
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T
j
=25
°
CT
j
=25
°
C 和 150
°
c; v
DS
>
I
D
xR
DSon
图 5. 输出 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 流-源 电压; 典型 值.
图 6. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值.
T
j
=25
°
C
图 7. 流-源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
图 8. normalized 流-源 在-状态 阻抗
因素 作 一个 函数 的 接合面 温度.
03an02
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0 0.5 1 1.5 2
V
DS
(v)
I
D
(一个)
4.5 v 3 v 2.5 v
2 v
1.8 v
V
GS
= 1.5 v
03an04
0
0.5
1
1.5
2
2.5
01234
V
GS
(v)
I
D
(一个)
V
DS
> i
D
x r
DSon
T
j
= 150
°
C25
°
C
03an03
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
00.511.522.5
I
D
(一个)
R
DSon
(
Ω
)
4.5 v
3 v
2.5 v
2 v
V
GS
= 1.8 v
03af18
0
0.5
1
1.5
2
-60 0 60 120 180
T
j
(
°
c)
一个
一个
R
DSon
R
DSon 25 C
°
()
-----------------------------
=