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1999 将 21 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 高-电压 晶体管 pmsta42; pmsta43
热的 特性
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
便条
1. 脉冲波 测试: t
p
≤
300
µ
s;
δ≤
0.02.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 625 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流
PMSTA42 I
E
= 0; v
CB
= 200 V
−
100 nA
PMSTA43 I
E
= 0; v
CB
= 160 V
−
100 nA
I
EBO
发射级 截-止 电流
PMSTA42 I
C
= 0; v
EB
=6V
−
100 nA
PMSTA43 I
C
= 0; v
EB
=4V
−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 1 毫安; v
CE
=10V 25
−
I
C
= 10 毫安; v
CE
=10V 40
−
I
C
= 30 毫安; v
CE
= 10 v; 便条 1 40
−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 20 毫安; i
B
=2mA
−
500 mV
C
re
反馈 电容 I
C
=i
c
= 0; v
CB
= 20 v; f = 1 MHz
PMSTA42
−
3pF
PMSTA43
−
4pF
f
T
转变 频率 I
C
= 10 毫安; v
CE
= 20 v; f = 100 MHz 50
−
MHz

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1999 将 21 3 飞利浦半导体产品规格 npn 高-电压晶体管 pmsta42; pmsta43 热的特性便条 1. 晶体管挂载在一个 fr4 打印-电路板. 特性 T amb =25 ° c 除非否则 speciﬁed. 便条 1. 脉冲波测试: t p ≤ 300 µ s; δ≤ 0.02. 标识参数情况值单位 R th j-一个热的阻抗从接合面至包围的便条 1 625 k/w 标识参数情况最小值最大值单位 I CBO 集电级截-止电流 PMSTA42 I E = 0; v CB = 200 V − 100 nA PMSTA43 I E = 0; v CB = 160 V − 100 nA I EBO 发射级截-止电流 PMSTA42 I C = 0; v EB =6V − 100 nA PMSTA43 I C = 0; v EB =4V − 100 nA h FE 直流电流增益 I C = 1 毫安; v CE =10V 25 − I C = 10 毫安; v CE =10V 40 − I C = 30 毫安; v CE = 10 v; 便条 1 40 − V CEsat 集电级-发射级饱和电压 I C = 20 毫安; i B =2mA − 500 mV C re 反馈电容 I C =i c = 0; v CB = 20 v; f = 1 MHz PMSTA42 − 3pF PMSTA43 − 4pF f T 转变频率 I C = 10 毫安; v CE = 20 v; f = 100 MHz 50 − MHz

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