mitsubishi 半导体 <应用 明确的 intelligent 电源 单元>
PS11015
flat-根基 类型
insulated 类型
jan. 2000
R
U
P
,v
P
,w
P
,u
N
,v
N
,w
N
,br
F
01
,f
02
,f
03
,cl
cu,cv,cw
地(逻辑)
ASIPM
5V
CPU
R
5.1k
Ω
10k
Ω
0.1nf0.1nf
在
在
在
在
0
0
0
V
PN
直流-总线 电压
控制 电压 供应
激励-strap 电压
n-一侧 输入 信号
p-一侧 输入 信号
brake 输入 信号
F
O
1 输出 信号
V
DB
V
cin(n)
V
cin(p)
V
cin(br)
F
OI
V
DH
b)
一个)
pwm 开始
n-一侧 igbt 电流 n-一侧 fwdi 电流
t(支撑)
td(读)
延迟 时间
+I
CL
–I
CL
在
止
在
止
0
0
在
止
0
Ref
V
CIN
v(支撑)
I
C
(v
S
)
V
C
V
CL
图. 8 反相器 输出 analogue 电流 感觉到 和 signaling 定时 chart
图. 10 推荐 i/o 接口 电路
图. 9 开始-向上 sequence
正常情况下 在 开始-向上, fo 和 cl 输出 信号 将 是 牵引的-向上
高 至 供应 电压 (止 水平的); 不管怎样, f
O1
输出 将 下降 至
低 (在) 水平的 在 这 instant 的 这 第一 在 输入 脉冲波 至 一个 n-一侧
igbt. 这个 能 发生 特别 当 这 激励-strap 电容 是
的 大 大小. f
O1
resetting sequence (一起 和 这 激励-strap
charging sequence) 是 explained 在 这 下列的 图表
一个) 激励-strap charging scheme :
应用 一个 train 的 短的 在 脉冲 在 所有 n-igbt 输入 管脚 为 ad-
同等看待 charging (脉冲波 宽度 = approx. 20
µ
s 号码 的 脉冲 =10
~ 500 取决于 在 这 激励-strap 电容 大小)
b) f
O1
resetting sequence:
应用 在 信号 至 这 下列的 输入 管脚 : br
→
un/vn/wn
→
向上/vp/wp 在 那 顺序.
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