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ps2532-1,-2,-4,ps2532l-1,-2,-4
典型 特性 (t
一个
= 25
°
°°
°
c, 除非 否则 指定)
包围的 温度 t
一个
(˚c)
晶体管 电源 消耗 p
C
(mw)
晶体管 电源 消耗
vs. 包围的 温度
400
300
200
100
0 25 50 75 100 125 150
ps2532-1
ps2532l-1
3.0 mw/˚c
ps2532-2, -4
ps2532l-2, -4
2.4 mw/˚c
二极管 电源 消耗 vs.
包围的 温度
包围的 温度 t
一个
(˚c)
二极管 电源 消耗 p
D
(mw)
150
100
50
0 25 50 75 100 125 150
ps2532-1
ps2532l-1
1.5 mw/˚c
ps2532-2, -4
ps2532l-2, -4
1.2 mw/˚c
集电级 电流 vs.
集电级 至 发射级 电压
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
160
140
120
100
80
60
40
20
021 3456 87
I
F
= 0.5 毫安
1.0 毫安
1.5 毫安
2.0 毫安
2.5 毫安
3.0 毫安
3.5 毫安
4.0 毫安
5.0 毫安
4.5 毫安
V
CE
= 300 v
集电级 至 发射级 dark
电流 vs. 包围的 温度
包围的 温度 t
一个
(˚c)
集电级 至 发射级 dark 电流 i
CEO
(一个)
–50 –25 0 25 50 75 100
100 n
10 n
1 n
100 p
10
µ
1
µ
集电级 电流 vs.
集电级 饱和 电压
集电级 饱和 电压 v
ce(sat)
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
500
100
10
50
1
5
0.1
0.5
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
I
F
= 5.0 毫安
2.0 毫安
1.0 毫安
0.5 毫安
向前 电流 vs.
向前 电压
向前 电压 v
F
(v)
向前 电流 i
F
(毫安)
100
10
1
0.1
0.01
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
+25 ˚c
0 ˚c
–25 ˚c
–55 ˚c
T
一个
= +100 ˚c
+75 ˚c
+50 ˚c
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