mitsubishi 半导体 <intelligent 电源 单元>
ps20351-n
转移-模型 类型
insulated 类型
sep. 2001
情况
标识 参数
限制
反相器 igbt 部分 (每 1/6 单元) (便条 3)
反相器 fwd 部分 (每 1/6 单元) (便条 3)
R
th(j-f)q
R
th(j-f)f
最小值
°
c/w
°
c/w
热的 阻抗
典型值 最大值
—
—
—
—
7.0
8.0
单位
接合面-至-热温 下沉 热的
阻抗
便条 3:
grease 和 好的 热的 conductivity 应当 是 应用 evenly 关于 +100
µ
m~+200
µ
m 在 这 联系 表面 的 一个 插件-ipm 和 一个
热温 下沉.
2.35
2.45
2.6
1.35
—
0.60
1.35
0.95
1
10
毫安
V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
I
C
= 3a, t
j
= 25
°
C
I
C
= 3a, t
j
= 125
°
C
V
ce(sat)
V
EC
t
在
t
rr
t
c(在)
t
止
t
c(止)
I
CES
T
j
= 25
°
c,
–
I
C
= 5a, v
CIN
= 5v
情况
标识 参数
限制
最小值 典型值 最大值
—
—
—
0.4
—
—
—
—
—
—
单位
电的 特性
(t
j
= 25
°
c, 除非 否则 指出)
反相器 部分
集电级-发射级 饱和
电压
fwd 向前 电压
V
D
= v
DB
= 15v
V
CIN
= 0v
切换 时间
V
CC
= 280v, v
D
= v
DB
=15V
I
C
= 3a, t
j
= 125
°
C
inductive 加载 (upper-更小的 arm)
V
CIN
= 5
↔
0V
集电级-发射级 截-止
电流
V
CE
= v
CES
1.7
1.8
1.9
0.9
0.25
0.35
0.90
0.45
—
—
V
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
8.5
1.0
9.7
1.0
—
0.9
1.8
0.53
12.0
12.5
12.5
13.0
—
2.0
4.0
—
—
—
—
4.9
—
0.8
0.43
10.0
10.5
10.3
10.8
1.0
0.8
2.5
便条 4:
短的-电路 保护 运作 仅有的 在 这 低-arms. 请 选择 这 值 的 这 外部 调往 电阻 此类 那 这 sctrip 水平的
是 较少 比 5.1a
5:
故障 信号 是 outputted 当 这 低-arm 短的-电路 或者 控制 供应 下面-电压 protective 功能 运作. 这 故障 输出
脉冲波-宽度 t
FO
取决于 在 这 电容 值 的 c
FO
符合 至 这 下列的 近似的 等式. : c
FO
= (12.2
✕
10
-6
)
✕
t
FO
[F]
应用 在:
U
P
, v
P
, w
P
-v
NC
, u
N
, v
N
, w
N
-v
NC
trip 水平的
重置 水平的
trip 水平的
重置 水平的
总的 的 v
P1
-v
NC
, v
N1
-v
NC
V
UFB
-v
UFS
, v
VFB
-v
VFS
, v
WFB
-v
WFS
总的 的 v
P1
-v
NC
, v
N1
-v
NC
V
UFB
-v
UFS
, v
VFB
-v
VFS
, v
WFB
-v
WFS
电路 电流
情况
标识 参数
限制
I
D
V
FOH
V
FOL
V
FOsat
V
sc(ref)
UV
DBt
UV
DBr
UV
Dt
UV
Dr
t
FO
V
th(在)
V
th(止)
最小值 典型值 最大值
单位
控制 (保护) 部分
V
D
= v
DB
=15V
V
CIN
= 5v
V
D
= v
DB
=15V
V
CIN
= 0v
V
SC
= 0v, f
O
= 10k
Ω
5v 拉-向上
V
SC
= 1v, i
FO
= 1.5ma
V
SC
= 1v, i
FO
= 15ma
T
j
=
25
°
c, v
D
= 15v (便条 4)
故障 输出 电压
短的-电路 trip 水平的
供应 电路 下面-电压
保护
T
j
≤
125
°
C
故障 输出 脉冲波 宽度
在 门槛 电压
止 门槛 电压
C
FO
= 22nf (便条 5)
—
—
—
—
—
0.6
1.2
0.48
—
—
—
—
1.8
1.4
3.0
毫安
毫安
V
V
V
V
V
V
V
V
ms
V
V
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