mitsubishi 半导体 <双-在-线条 包装 intelligent 电源 单元>
PS21205
转移-模型 类型
insulated 类型
8月. 1999
图. 8 典型 插件-ipm 应用 电路 例子
便条 1 :
至 阻止 这 输入 信号 振动, 一个 rc 连接 在 各自 输入 是 推荐, 和 这 线路 的 各自 输入 应当 是 作 短的
作 可能. (较少 比 2cm)
2:
用 virtue 的 integrating 一个 应用 明确的 类型 hvic inside 这 单元, 直接 连接 至 cpu terminals 没有 任何 opto-coupler
或者 变压器 分开 是 可能.
3:
F
O
输出 是 打开 集电级 类型. 这个 信号 线条 应当 是 牵引的 向上 至 这 积极的 一侧 的 这 5v 电源 供应 和 大概
5.1k
Ω
阻抗.
4:
F
O
输出 脉冲波 宽度 应当 是 decided 用 连接 一个 外部 电容 在 cfo 和 v
NC
terminals (c
FO
). (例子 : c
FO
= 22 nf
→
t
FO
= 1.8 ms (典型值.))
5:
各自 输入 信号 线条 应当 是 牵引的 向上 至 这 5v 电源 供应 和 大概 4.7k
Ω
阻抗 (其它 rc 连接 电路 在
各自 输入 将 是 需要 取决于 在 这 pwm 控制 scheme 使用 和 在 这 线路 阻抗 的 这 系统’s 打印 电路
板). 大概 一个 0.22~2
µ
f 用-通过 电容 应当 是 使用 横过 各自 电源 供应 连接 terminals.
6:
至 阻止 errors 的 这 保护 函数, 这 线路 的 一个, b, c 应当 是 作 短的 作 可能.
7:
在 这 推荐 保护 电路, 请 选择 这 r
1
C
5
时间 常量 在 这 范围 1.5~2
µ
s.
8:
各自 电容 应当 是 放 作 nearby 这 管脚 的 这 插件-ipm 作 可能.
9:
至 阻止 surge destruction, 这 线路 在 这 smoothing 电容 和 这 p&放大;n1 管脚 应当 是 作 短的 作 可能. approxi-
mately 一个 0.1~0.22
µ
f snubber 电容 在 这 p&放大;n1 管脚 是 推荐.
HO
HO
插件-ipm
c1: tight 至 lerance 温度
-
补偿 electrolytic 类型; c2,c3: 0.22~2
µ
f r
-
类别 陶瓷的 电容 为 噪音 过滤
(便条 : 这 电容 值 取决于 在 这 pwm 控制 使用 在 这 应用 系统)
C3
C3
C3
C3
C2
C2
C2
C1
C1
C1
HO
在
在
15v 线条
5v 线条
5v 线条
在
COM
COM
COM
U
输出
V
输出
W
输出
V
非
CFO
地
F
o
W
N
V
N
V
CC
C
B
一个
c4(c
FO
)
CFO
R1
C5
调往
电阻
CIN
CIN
N1
N
W
V
U
P
V
S
V
S
V
S
V
B
V
B
V
B
V
CC
V
CC
V
CC
Fo
W
N
V
N
U
N
U
N
W
P
V
P
U
P
V
NC
V
N1
V
PC
V
P1
V
P1
V
P1
V
WFS
V
VFS
V
UFS
V
WFB
V
VFB
V
UFB
M
R
Sh
为 详细地 描述 的 这 激励
-
strap 电路
构建, 请 联系 mitsubishi electric
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