7
这 转变-止 时间 能 是 非常 减少 用 这 根基-发射级 阻抗 (r
L
). 在 测试 电路 4, 这 转变-止 时间 的 这 测试 电路
having 阻抗 rl 是 关于 1/30 的 那 的 这 测试 电路 没有 这 阻抗. 这个 是 因为 这 运输车 (photocurrent)
贮存 在 这 集电级-根基 电容 (c
c-b
) 是 quickly released 通过 这 根基-发射级 电阻 (r
是
). 不管怎样, 便条 那 部分
的 一个 photocurrent generating 在 这 根基 的 这 phototransistor flows 通过 这 r
是
电阻 和 减少 这 电流 转移
比率 (ctr). 对比 这 电压 水平的 的 这 输出 波形 在 photo 4 和 那 的 这 输出 波形 在 photo 2. 这
电流 转移 比率 的 这 测试 电路 having 一个 根基-发射级 电阻 的 200 k
Ω
是 half 或者 较少 的 那 的 这 测试 电路 没有 这
阻抗. (看 3.3 为 减少 的 这 电流 转移 比率 ctr.)
为 涉及, 图. 2-3 显示 这 切换-时间 vs. r
L
特性 和 图. 2-4 显示 这 切换-时间 vs. r
是
characteris-
tics.
x
样本 固体的 线条:
电流 转移 比率 的 166%
dotted 线条:
电流 转移 比率 的 274%
在 ir = 5ma
t r
t d
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
100 500 1 k 5 k 10 k 50 k 100 k
t f
t s
I
F
= 10 毫安 vcc = 5 v
vcc = 5v
Vo
R
L
I
f =
10
m
一个
51
Ω
I
加载 阻抗 r
L
(
Ω
)
V
CC
= 5 v, i
F
= 10ma
R
L
= 5
Ω
固体的 线条: 发射级 追随着
dotted 线条: 发射级 grounded
160
140
120
100
80
60
40
20
0
100 200 500 1000
8
t
止
t
止
根基-发射级 阻抗 r
是
(k
Ω
)
切换 时间 (
µ
s)
切换 时间 (
µ
s)
加载 阻抗 r
L
(
Ω
)
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
100 500 1 k 5 k 10 k 50 k 100 k
t
f
t
s
t
r
t
d
V
CC
= 5v
Vo
R
L
I
f =
5
m
一个
I
51
Ω
I
F
= 5 毫安 v
CC
= 5 v
x
样本 固体的 线条:
电流 转移 比率 的 166%
dotted 线条:
电流 转移 比率 的 274%
在 ir = 5 毫安
切换 时间 (
µ
s)
切换 时间 (
µ
s)
根基-发射级 阻抗 r
是
(k
Ω
)
vcc = 5 v, i
F
= 5ma
R
1
= 5
Ω
固体的 线条: 发射级 追随着
dotted 线条: 发射级 grounded
160
140
120
100
80
60
40
20
0
t
止
t
在
100 200 500 1000
8
图. 2-3 切换-时间 vs. r
L
特性
图. 2-4 切换-时间 vs. r
是
特性
: 点此下载
