绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
参数 标识 比率 单位
二极管 向前 电流 (直流) I
F
50 毫安
反转 电压 V
R
5.0 V
电源 消耗 P
D
50 mw
顶峰 向前 电流
*1
I
FP
1 一个
mos 场效应晶体管 破裂 向下 电压 V
L
400 V
持续的 连接 一个 I
L
120 毫安
加载 电流
*2
连接 b 150
连接 c 250
脉冲波 加载 电流
*3
(交流/直流 连接)
I
LP
240 毫安
电源 消耗 P
D
560 mw
分开 电压
*4
bv 1 500 vr.m.s.
总的 电源 消耗 P
T
610 mw
运行 包围的 温度 T
一个
−
40 至 +85
°
C
存储 温度 T
stg
−
40 至 +100
°
C
*1
pw = 100
µ
s, 职责 循环 = 1%
*2
情况: i
F
≥
5 毫安. 这 下列的 类型 的 加载 连接 是 有.
连接 一个 V
L
(交流/直流)
1
6
25
4
3
I
L
L
连接 b
连接 c
1
6
2
5
43
I
L
L
V
L
(直流)
+
–
1
6
2
5
4
3
I
L
I
L
L
V
L
(直流)
+
–
1
6
2
5
4
3
I
L
L
V
L
(直流)
+
–
I
L
+ i
L
*3
pw = 100 ms, 1 shot
*4
交流 电压 为 1 分钟 在 t
一个
= 25
°
c, rh = 60% 在 输入 和 输出
数据 薄板 pn10439ej01v0ds
5
ps7141e-1a,ps7141el-1a
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