飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 trenchmos
晶体管 psmn040-200w
图.1. normalised 电源 消耗.
pd% = 100
⋅
P
D
/p
d 25 ˚c
= f(t
mb
)
图.2. normalised 持续的 流 电流.
id% = 100
⋅
I
D
/i
d 25 ˚c
= f(t
mb
); v
GS
≥
10 v
图.3. safe 运行 范围
I
D
&放大; i
DM
= f(v
DS
); i
DM
单独的 脉冲波; 参数 t
p
图.4. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th j-mb
= f(t); 参数 d = t
p
/t
图.5. 典型 输出 特性, t
j
= 25 ˚c
.
I
D
= f(v
DS
)
图.6. 典型 在-状态 阻抗, t
j
= 25 ˚c
.
R
ds(在)
= f(i
D
)
normalised 电源 减额, pd (%)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 25 50 75 100 125 150 175
挂载 根基 温度, tmb (c)
0.001
0.01
0.1
1
1e-06 1e-05 1e-04 1e-03 1e-02 1e-01 1E+00
脉冲波 宽度, tp (s)
瞬时 热的 阻抗, zth j-mb (k/w)
单独的 脉冲波
d = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
d = tp/t
D
P
T
normalised 电流 减额, id (%)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 25 50 75 100 125 150 175
挂载 根基 温度, tmb (c)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
流-源 电压, vds (v)
流 电流, id (一个)
4.4 v
tj = 25 c
vgs = 10v
4.6 v
4.8 v
5 v
8 v
4.2 v
6 v
1
10
100
1000
1 10 100 1000
流-源 电压, vds (v)
顶峰 搏动 流 电流, idm (一个)
d.c.
100 ms
10 ms
rds(在) = vds/ id
1 ms
tp = 10 美国
100 美国
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
0.18
0.2
0 5 10 15 20 25 30 35 40
流 电流, id (一个)
流-源 在 阻抗, rds(在) (ohms)
vgs = 10v
tj = 25 c
6V
4.8 v
5 v
4.6 v
4.4 v
4.2 v
8月 1999 3 rev 1.000
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