2004 8月 10 3
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 中等 电源 25 v 晶体管 PSS8550
热的 特性
注释
1. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板; 单独的 sided 铜; tinplated; 标准 footprint.
2. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板; 单独的 sided 铜; tinplated; 挂载 垫子 为 集电级 1 cm
2
.
3. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板; 单独的 sided 铜; tinplated; 标准 footprint.
运作 下面 搏动 情况: 脉冲波 宽度 t
p
≤
1 s; 职责 循环
δ≤
0.75%.
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 在 自由 空气; 便条 1 147 k/w
在 自由 空气; 便条 2 139 k/w
在 自由 空气; 便条 3 125 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级-根基 截-止 电流 V
CB
=
−
35 v; i
E
=0
−−−
100 nA
V
CB
=
−
35 v; i
E
=0;
T
amb
= 150
°
C
−−−
50
µ
一个
I
CEO
集电级-发射级 截-止 电流 V
CE
=
−
25 v; i
B
=0
−−−
100 nA
I
EBO
发射级-根基 截-止 电流 V
EB
=
−
6 v; i
C
=0
−−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
=
−
5 毫安; v
CE
=
−
1V 45
−−
I
C
=
−
800 毫安; v
CE
=
−
1V 40
−−
直流 电流 增益 I
C
=
−
100 毫安; v
CE
=
−
1V
PSS8550C 120
−
200
PSS8550D 160
−
300
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=
−
800 毫安; i
B
=
−
80 毫安
−−
190
−
500 mV
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
=
−
800 毫安; i
B
=
−
80 毫安
−−−
1.2 V
V
BEon
根基-发射级 转变-在 电压 I
C
=
−
10 毫安; v
CE
=
−
1V
−−−
1V
f
T
转变 频率 I
C
=
−
50 毫安; v
CE
=
−
10 v;
f = 100 MHz
100
−−
MHz
C
c
集电级 电容 V
CB
=10v; i
E
=i
e
= 0; f = 1 MHz
−−
12 pF
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