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资料编号:557999
 
资料名称:PTF10043
 
文件大小: 235.44K
   
说明
 
介绍:
12 Watts, 1.9-2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
 
 


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ptf 10043
2
电的 特性
(100% 测试)
典型的 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 5 毫安 V
(br)dss
65
——
伏特
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 26 v, v
GS
= 0 v I
DSS
——
1.0 毫安
门 门槛 电压 V
DS
= 10 v, i
D
= 75 毫安 V
gs(th)
3.0
5.0 伏特
向前 跨导 V
DS
= 10 v, i
D
= 2 一个 g
fs
0.8
Siemens
最大 比率
参数 标识 单位
流-源 电压 V
DSS
65 Vdc
门-源 电压 V
GS
±20 Vdc
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
总的 设备 消耗 P
D
55 Watts
在之上 25
°
c 减额 用 0.31 w/
°
C
存储 温度 范围 T
STG
40 至 +150
°
C
热的 阻抗 (t
情况
= 70
°
c) R
JC
3.2
°
c/w
典型 效能
11
12
13
14
15
16
1750 1800 1850 1900 1950 2000 2050
Frequency (mhz)
增益
10
20
30
40
50
60
输出 电源 &放大; 效率
V
DD
= 26 v
I
DQ
= 150 m一个
P
输出
, 增益 &放大; 效率
(在 p-1db)
vs. frequency
输出 pow er (w)
效率
增益
broadband 测试 fixture performance
2
4
6
8
10
12
14
1900 1925 1950 1975 2000
Fr e que nc y( MHz )
增益 (db)
0
10
20
30
40
50
60
V
CC
= 26 v
I
DQ
= 150 m一个
P
输出
= 10 w
增益
返回 loss
效率 (%)
效率 (%)
返回 丧失 (db)
- 5
-15
-25
-35
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