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1999 将 20 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn/pnp 电阻-配备 晶体管 PUMD9
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
每 晶体管; 为 这 pnp 晶体管 和 负的 极性
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
C
= 0; v
CB
=50V
−−
100 nA
I
CEO
集电级 截-止 电流 I
B
= 0; v
CE
=30V
−−
1
µ
一个
I
B
= 0; v
CE
= 30 v; t
j
= 150
°
C
−−
50
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=5V
−−
150
µ
一个
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 5 毫安; v
CE
= 5 V 100
−−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 5 毫安; i
B
= 0.25 毫安
−−
100 mV
V
i(止)
输入-止 电压 I
C
= 100
µ
一个; v
CE
=5V
−
0.7 0.5 V
V
i(在)
输入-在 电压 I
C
= 1 毫安; v
CE
= 0.3 V 1.4 0.8
−
V
R1 输入 电阻 7 10 13 k
Ω
电阻 比率
3.7 4.7 5.7
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
= 10 v; f = 1 MHz
TR1 (npn)
−−
2.5 pF
TR2 (pnp)
−−
3pF
R2
R1
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1999 将 20 4 飞利浦半导体产品规格 npn/pnp 电阻-配备晶体管 PUMD9 特性 T amb =25 ° c 除非否则 speciﬁed. 标识参数情况最小值典型值最大值单位每晶体管; 为这 pnp 晶体管和负的极性 I CBO 集电级截-止电流 I C = 0; v CB =50V −− 100 nA I CEO 集电级截-止电流 I B = 0; v CE =30V −− 1 µ 一个 I B = 0; v CE = 30 v; t j = 150 ° C −− 50 µ 一个 I EBO 发射级截-止电流 I C = 0; v EB =5V −− 150 µ 一个 h FE 直流电流增益 I C = 5 毫安; v CE = 5 V 100 −− V CEsat 集电级-发射级饱和电压 I C = 5 毫安; i B = 0.25 毫安 −− 100 mV V i(止) 输入-止电压 I C = 100 µ 一个; v CE =5V − 0.7 0.5 V V i(在) 输入-在电压 I C = 1 毫安; v CE = 0.3 V 1.4 0.8 − V R1 输入电阻 7 10 13 k Ω 电阻比率 3.7 4.7 5.7 C c 集电级电容 I E =i e = 0; v CB = 10 v; f = 1 MHz TR1 (npn) −− 2.5 pF TR2 (pnp) −− 3pF R2 R1 -------

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