pvaz172n photovoltaic 接转
电的 规格
(-40°c
≤
T
一个
≤
=+85°c 除非 否则 指定
)
(hexfet 是 这 注册 商标 为 国际的 整流器 电源 mosfets)
输入 特性 限制 单位
最小值 控制 电流 (看 计算数量 1 和 2) 10 毫安
最大值 控制 电流 为 止-状态 阻抗
@ t
一个
=+25°C
0.4 毫安
控制 电流 范围 (提醒: 电流 限制 输入 led, 看 图.6) 5.0 至 25 毫安
最大值 反转 电压 7.0 V
输出 特性
运行 电压 范围 0 至 60 v(交流 顶峰)
最大值 加载 电流 40
°
c (看 图. 1 和 2) 1.0 一个(直流)
最大值 搏动 加载 电流 @t
一个
=+25°c (100 ms @ 10% 职责 循环) 2.4 一个(交流 顶峰)
最大值 转变-在 时间 @t
一个
=+25°c (看 图. 7) 2.0 ms
为 500ma, 50vdc 加载, 10ma 控制
最大值 转变-止 时间 @ta=+25°c (看 图. 7) 0.5 ms
为 500ma, 50vdc 加载, 10ma 控制
最大值 在 状态 阻抗 @ta=+25°c(搏动) (看 图. 4) 500 m
Ω
1.0a 加载, 10ma 控制
最小值 止 状态 阻抗 @t
一个
=+25°c @ 48 vdc (看 图. 5) 10
8
Ohms
最小值 止-状态 dv/dt 1000 v/
µ
s
输出 电容 (看 图. 9) 150 pf @ 50 vdc
一般 特性 限制 单位
dielectric 力量, 输入-输出 4000 V
(rms)
绝缘 阻抗, 输入-输出 , 90 v
直流
10
12
@T
一个
=+25°c - 50% rh
Ω
电容, 输入-输出 1.0 pF
含铅的 温度 (1.6mm 在下 seating 平面) 为 10 秒. +260 °C
包围的 温度 范围: 运行 -40 至 +85 °C
存储 -40 至 +100 °C
线路 图解:
Electromechanical
Analogy
5
2
3
8
+
Anode
Cathode
流
图式
流
2
3
8
5
+
I
NTERNATIONAL
R
ECTIFIER
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