数据 薄板 非. pd10024e
序列 pvd13
microelectronic 电源 ic
单独的-柱子, 500ma, 0-100v 直流
一般 描述
这 photovoltaic 直流 接转 (pvd) 是 一个 单独的-柱子,
正常情况下 打开 固体的 状态 替换 为 electro-
机械的 接转 使用 为 一般 目的 转变-
ing 的 相似物 信号. 它 运用 作 一个 输出 转变 一个
唯一的 双向的 (交流 或者 直流) 场效应晶体管 电源 ic
termed 一个 bosfet. 这 bosfet 是 控制 用 一个
photovoltaic 发生器 的 novel 构建, 这个
是 energized 用 辐射 从 一个 dielectrically iso-
lated 明亮的 发出 二极管 (led).
这 pvd 克服 这 限制 的 两个都 conven-
tional 和 reed electromechanical 接转 用 offering
这 固体的 状态 有利因素 的 长 生命, 高 operat-
ing 速, 低 挑选-向上 电源, bounce-自由 opera-
tion, 低 热的 电压 和 miniaturization. 这些
有利因素 准许 产品 改进 和 设计
innovations 在 许多 产品 此类 作 处理
控制, multiplexing, telecommunications, 自动
测试 设备 和 数据 acquisition.
这 pvd 能 转变 相似物 信号 从 thermo-
couple 水平的 至 100 伏特 顶峰 直流. 信号 frequen-
cies 在 这 rf 范围 是 容易地 控制 和
切换 比率 向上 至 2khz 是 achievable. 这 ex-
tremely 小 thermally 发生 补偿 电压
准许 增加 度量 精度.
唯一的 硅 技术 开发 用 国际的
整流器 形式 这 heart 的 这 pvd. 这 大而单一的
bosfet 包含 一个 双向的 n-频道 电源
场效应晶体管 输出 结构. 在 增加, 这个 电源 ic
碎片 有 输入 电路系统 为 快 转变-止 和 门 pro-
tection 功能. 这个 部分 的 这 bosfet 碎片
运用 两个都 双极 和 mos 技术 至 表格
npn 晶体管, p-频道 mosfets, 电阻器, di-
odes 和 电容.
这 photovoltaic 发生器 similarly 运用 一个 唯一的
国际的 整流器 alloyed multijunction 结构.
这 极好的 电流 转换 效率 的 这个
技巧 结果 在 这 非常 快 回馈 的 这
pvd microelectronic 电源 ic 接转.
这个 先进的 半导体 技术 有 cre-
ated 一个 radically 新 控制 设备. designers 能
now 开发 切换 系统 至 新 standards 的
电的 效能 和 机械的 compactness.
特性
bosfet 电源 ic
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10
10
行动
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300µsec 运行 时间
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3 毫瓦 挑选-向上 电源
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1000v/µsec dv/dt
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bounce-自由
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8-管脚 插件 包装
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-40°c 至 85°c
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ul 公认的
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部分 identification
部分 号码 运行 敏锐的 止-状态
电压 (直流) 阻抗
PVD1352 10
8
Ohms
0 – 100v 5 毫安
PVD1354 10
10
Ohms
replaced 用 pvd13n
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