pd 1.025d
Microelectronic
电源 ic 接转
单独的-柱子, 220ma, 0-300v 直流
一般 描述
这 photovoltaic 直流 接转 (pvd) 是 一个 单独的-柱子, 也不-
mally 打开 固体的 状态 替换 为 electro-me-
chanical 接转 使用 为 一般 目的 切换 的
相似物 信号. 它 运用 作 一个 输出 转变 一个 唯一的
双向的 (交流 或者 直流) 场效应晶体管 电源 ic termed 一个
bosfet. 这 bosfet 是 控制 用 一个 photovoltaic
发生器 的 novel 构建, 这个 是 energized 用
辐射 从 一个 dielectrically 分开的 明亮的 发出 di-
ode (led).
这 pvd 克服 这 限制 的 两个都 conven-
tional 和 reed electromechanical 接转 用 offering
这 固体的 状态 有利因素 的 长 生命, 高 运行
速, 低 挑选-向上 电源, bounce-自由 operation, 低
热的 电压 和 miniaturization. 这些 advan-
tages 准许 产品 改进 和 设计 innova-
tions 在 许多 产品 此类 作 处理 控制,
multiplexing, telecommunications, 自动 测试
设备 和 数据 acquisition.
这 pvd 能 转变 相似物 信号 从 thermocouple
水平的 至 300 伏特 顶峰 直流. 信号 发生率 在 这
rf 范围 是 容易地 控制 和 切换 比率 向上
至 6khz 是 achievable. 这 极其 小 thermally
发生 补偿 电压 准许 增加 measure-
ment 精度.
唯一的 硅 技术 开发 用 国际的
整流器 形式 这 heart 的 这 pvd. 这 大而单一的
bosfet 包含 一个 双向的 n-频道 电源
场效应晶体管 输出 结构. 在 增加, 这个 电源 ic
碎片 有 输入 电路系统 为 快 转变-止 和 门 protec-
tion 功能. 这个 部分 的 这 bosfet 碎片 运用
两个都 双极 和 mos 技术 至 表格 npn transis-
tors, p-频道 mosfets, 电阻器, 二极管 和 ca-
pacitors.
这 photovoltaic 发生器 similarly 运用 一个 唯一的
国际的 整流器 alloyed multijunction 结构.
这 极好的 电流 转换 效率 的 这个 tech-
nique 结果 在 这 非常 快 回馈 的 这 pvd mi-
croelectronic 电源 ic 接转.
这个 先进的 半导体 技术 有 创建
一个 radically 新 控制 设备. designers 能 now de-
velop 切换 系统 至 新 standards 的 电的
效能 和 机械的 compactness.
pvd33 特性
bosfet 电源 ic
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10
10
Operations
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100µsec 运行 时间
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3 毫瓦 挑选-向上 电源
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1000v/µsec dv/dt
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bounce-自由
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8-管脚 插件 包装
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-40°c 至 85°c
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ul 公认的
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部分 identification
部分 号码 运行 敏锐的 止-状态
电压 (直流) 阻抗
PVD2352 200V 10
8
Ohms
5 毫安
PVD3354 300V 10
10
Ohms
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