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半导体 组 2
pzta 13
pzta 14
电的 特性
在
T
一个
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
vcollector-发射级 损坏 电压
I
C
= 100
µ
一个
V
(br)ces
30 – –
nA
µ
一个
集电级-根基 截止 电流
V
CE
= 30 v,
I
E
= 0
V
CE
= 30 v,
I
E
= 0,
T
一个
= 150 ˚c
I
CB0
–
–
–
–
100
10
UnitValuesParameter 标识
最小值 典型值 最大值
直流 特性
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10
µ
一个,
I
C
= 0
V
(br)eb0
10 – –
V
集电级-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 100 毫安,
I
B
= 0.1 毫安
V
CEsat
– – 1.5
–dc 电流 增益
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 5 V pzta 13
pzta 14
I
C
= 100 毫安,
V
CE
= 5 V pzta 13
pzta 14
h
FE
5000
10000
10000
20000
–
–
–
–
–
–
–
–
mhztransition 频率
I
C
= 50 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 100 MHz
f
T
125 – –
交流 特性
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 100
µ
一个,
I
B
= 0
V
(br)cb0
30 – –
naemitter-根基 截止 电流
V
EB
= 10 v,
I
C
= 0
I
EB0
– – 100
根基-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 100 毫安,
I
B
= 0.1 毫安
V
BEsat
– – 2.0
1)
脉冲波 测试 情况:
t
≤
300
µ
s,
D
= 2 %.

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半导体组 2 pzta 13 pzta 14 电的特性在 T 一个 = 25 ˚c, 除非否则指定. vcollector-发射级损坏电压 I C = 100 µ 一个 V (br)ces 30 – – nA µ 一个集电级-根基截止电流 V CE = 30 v, I E = 0 V CE = 30 v, I E = 0, T 一个 = 150 ˚c I CB0 – – – – 100 10 UnitValuesParameter 标识最小值典型值最大值直流特性发射级-根基损坏电压 I E = 10 µ 一个, I C = 0 V (br)eb0 10 – – V 集电级-发射级饱和电压 1) I C = 100 毫安, I B = 0.1 毫安 V CEsat – – 1.5 –dc 电流增益 I C = 10 毫安, V CE = 5 V pzta 13 pzta 14 I C = 100 毫安, V CE = 5 V pzta 13 pzta 14 h FE 5000 10000 10000 20000 – – – – – – – – mhztransition 频率 I C = 50 毫安, V CE = 5 v, f = 100 MHz f T 125 – – 交流特性集电级-根基损坏电压 I C = 100 µ 一个, I B = 0 V (br)cb0 30 – – naemitter-根基截止电流 V EB = 10 v, I C = 0 I EB0 – – 100 根基-发射级饱和电压 1) I C = 100 毫安, I B = 0.1 毫安 V BEsat – – 2.0 1) 脉冲波测试情况: t ≤ 300 µ s, D = 2 %.

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