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半导体 组 2
pzta 42
pzta 43
电的 特性
在
T
一个
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
直流 电流 增益
1)
I
C
=  1 毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 30 毫安,
V
CE
= 10 V
vcollector-发射级 损坏 电压
I
C
= 1 毫安,
I
B
= 0 pzta 42
pzta 43
V
(br)ce0
300
200
–
–
–
–
nA
nA
µ
一个
µ
一个
集电级-根基 截止 电流
V
CB
= 200 V pzta 42
V
CB
= 160 V pzta 43
V
CB
= 200 v,
T
一个
= 150 ˚c pzta 42
V
CB
= 160 v,
T
一个
= 150 ˚c pzta 43
I
CB0
–
–
–
–
–
–
–
–
100
100
20
20
UnitValuesParameter 标识
最小值 典型值 最大值
直流 特性
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 100
µ
一个,
I
C
= 0
V
(br)eb0
6––
V
集电级-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 20 毫安,
I
B
= 2 毫安 pzta 42
pzta 43
V
CEsat
–
–
–
–
0.5
0.4
–
h
FE
25
40
40
–
–
–
–
–
–
mhztransition 频率
I
C
= 20 毫安,
V
CE
= 10 v,
f
= 100 MHz
f
T
–70–
交流 特性
pfcollector-根基 电容
V
CB
= 20 v,
f
= 1 MHz pzta 42
pzta 43
C
obo
–
–
–
–
3
4
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 100
µ
一个,
I
B
= 0 pzta 42
pzta 43
V
(br)cb0
300
200
–
–
–
–
naemitter-根基 截止 电流
V
EB
= 3 v,
I
C
= 0
I
EB0
– – 100
根基-发射级 饱和 电压
I
C
= 20 毫安,
I
B
= 2 毫安
V
BEsat
– – 0.9
1)
脉冲波 测试 情况:
t
≤
300
µ
s,
D
= 2 %.

标　题:
内　容:
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半导体组 2 pzta 42 pzta 43 电的特性在 T 一个 = 25 ˚c, 除非否则指定. 直流电流增益 1) I C = 1 毫安, V CE = 10 V I C = 10 毫安, V CE = 10 V I C = 30 毫安, V CE = 10 V vcollector-发射级损坏电压 I C = 1 毫安, I B = 0 pzta 42 pzta 43 V (br)ce0 300 200 – – – – nA nA µ 一个 µ 一个集电级-根基截止电流 V CB = 200 V pzta 42 V CB = 160 V pzta 43 V CB = 200 v, T 一个 = 150 ˚c pzta 42 V CB = 160 v, T 一个 = 150 ˚c pzta 43 I CB0 – – – – – – – – 100 100 20 20 UnitValuesParameter 标识最小值典型值最大值直流特性发射级-根基损坏电压 I E = 100 µ 一个, I C = 0 V (br)eb0 6–– V 集电级-发射级饱和电压 1) I C = 20 毫安, I B = 2 毫安 pzta 42 pzta 43 V CEsat – – – – 0.5 0.4 – h FE 25 40 40 – – – – – – mhztransition 频率 I C = 20 毫安, V CE = 10 v, f = 100 MHz f T –70– 交流特性 pfcollector-根基电容 V CB = 20 v, f = 1 MHz pzta 42 pzta 43 C obo – – – – 3 4 集电级-根基损坏电压 I C = 100 µ 一个, I B = 0 pzta 42 pzta 43 V (br)cb0 300 200 – – – – naemitter-根基截止电流 V EB = 3 v, I C = 0 I EB0 – – 100 根基-发射级饱和电压 I C = 20 毫安, I B = 2 毫安 V BEsat – – 0.9 1) 脉冲波测试情况: t ≤ 300 µ s, D = 2 %.

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