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资料编号:560798
 
资料名称:PZTA14T1
 
文件大小: 167.9K
   
说明
 
介绍:
SOT-223 PACKAGE MEDIUM POWER NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
 
 


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PZTA14T1
3
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
典型 电的 特性
200 k
500
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 1. 直流 电流 增益
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 5.0 v
100 k
70 k
50 k
25
°
C
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
30020010070503020107.05.0
55
°
C
h
FE
, 直流 电流 增益
4.0
500
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 2. 高 频率 电流 增益
|h
FE
|, 小-信号 电流 增益
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
20010010 20 500.5 1.0 2.0 0.5
V
CE
= 5.0 v
f = 100 mhz
T
J
= 25
°
C
1.6
500
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
v, 电压 (伏特)
图示 3. “on” 电压
T
J
= 25
°
C
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 1000
V
是(在)
@ v
CE
= 5.0 v
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 1000
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
30020010070503020107.05.0
20
V
R
, 反转 电压 (伏特)
图示 4. 电容
T
J
= 25
°
C
40
10
7.0
5.0
3.0
2.0
20101.0 2.0 4.00.04 0.1 0.2 0.4
C
ibo
C
obo
T
J
= 25
°
C
3.0
1000
I
B
, 根基 电流 (
µ
一个)
图示 5. 集电级 饱和 区域
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
100 200 50010 20 500.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0
V
CE
, 集电级-发射级 电压 (伏特)
I
C
= 10 毫安 50 毫安 250 毫安 500 毫安
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 6. 温度 coefficients
R
V
, 温度 系数 (mv/ c)
°
θ
–1.0
5.0
θ
VB
为 v
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0 10 20 30 50 70 100 200 300 500
*applies 为 i
C
/i
B
≤
h
FE
/3.0
25
°
c 至 125
°
C
55
°
c 至 25
°
C
25
°
c 至 125
°
C
55
°
c 至 25
°
C
c, 电容 (pf)
*R
θ
VC
为 v
ce(sat)
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