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资料编号:562571
 
资料名称:Q62703-Q516
 
文件大小: 45.76K
   
说明
 
介绍:
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
sfh 485 p
半导体 组 2 1998-06-26
Grenzwerte
(
T
一个
= 25
°
c)
最大 比率
Bezeichnung
描述
标识
标识
Wert
Einheit
单位
betriebs- und lagertemperatur
运行 和 存储 温度 范围
T
运算
;
T
stg
– 55 ... + 100
°
C
Sperrschichttemperatur
接合面 温度
T
j
100
°
C
Sperrspannung
反转 电压
V
R
5V
Durchlaßstrom
向前 电流
I
F
100 毫安
stoßstrom,
τ≤
10
µ
s
surge 电流
I
FSM
2.5 一个
Verlustleistung
电源 消耗
P
tot
200 mW
wärmewiderstand, freie beinchenlänge
最大值 10 mm
热的 阻抗, 含铅的 长度 在
包装 bottom 和 pc-板 最大值 10 mm
R
thJA
375 k/w
Kennwerte
(
T
一个
= 25
°
c)
特性
Bezeichnung
描述
标识
标识
Wert
Einheit
单位
wellenlänge der strahlung
wavelength 在 顶峰 emission
I
F
= 100 毫安
λ
顶峰
880 nm
spektrale bandbreite bei 50 % von
I
最大值
,
I
F
= 100 m 一个
谱的 带宽 在 50 % 的
I
最大值
∆λ
80 nm
Abstrahlwinkel
half 角度
ϕ±
40 Grad
deg.
aktive chipfläche
起作用的 碎片 范围
一个
0.16 mm
2
abmessungen der aktiven chipfläche
维度 的 这 起作用的 碎片 范围
L
×
B
L
×
W
0.4
×
0.4 mm
abstand chipoberfläche bis
Gehäusevorderseite
距离 碎片 front 至 情况 表面
H
0.5 ... 1 mm
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