alternistor triacs 数据 薄板
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(10) 看 图示 e4.12 为 t
gt
相比 i
GT
.
(11) 看 包装 轮廓 为 含铅的 表格 配置. 当 订货
特定的 含铅的 forming, 增加 类型 号码 作 后缀 至 部分 号码.
(12) 最初的 在-状态 电流 = 400 毫安 直流 为 16 一个 至 40 一个 设备 和
100 毫安 为 6 一个 至 12 一个 设备.
(13) 看 图示 e4.1 通过 图示e4.4 为 最大 容许的 情况
温度 在 最大 评估 电流.
(14) 脉冲波 宽度
10 µs;
I
GT
I
GTM
(15) 为 6 一个 至 12 一个 设备, r
L
= 60
; 16 一个 和 在之上, r
L
= 30
(16) 40 一个 管脚 终端 leads 在 k 包装 能 run 100 °c 至 125 °c.
(17) alternistor 做 不 转变 在 在 quadrant iv.
(18) T
C
= t
J
为 测试 情况 在 止 状态
(19) I
GT
= 200 毫安 为 6 一个 至 12 一个 devices 和 500 毫安 为 16 一个 至 40 一个
设备 和 门 脉冲波 having 上升 时间 的
0.1 µs.
(20) 最小 非-触发 v
GT
在 125 °c 是 0.2 v.
门 特性
teccor triacs 将 是 转变 在 在 这 下列的 方法:
• 在-阶段 信号 (和 标准 交流 线条) 使用 quadrants i
和 III
• 应用 的 单极的 脉冲(门 总是 负的), 使用
Quadrants ii 和 iii 和负的 门 脉冲
在 所有 具体情况, 如果 最大 surge 能力 是 必需的, 门 脉冲
应当 是 一个 最小 的 一个巨大 在之上 最小 i
GT
比率
和 一个 steep rising 波形 (
1 µs 上升 时间).
如果 qiv 和 qi 运作 是 必需的 (门 总是 积极的), 看
图示 an1002.8, “amplified gate” thyristor 电路.
定义 的 quadrants
电的 分开
teccor’s 分开的 alternistor 包装 承受 一个 最小 高
潜在的 测试 的 2500 V 交流 rms 从 leads 至 挂载 tab, 在
这 运行 温度 范围 的这 设备. 这 下列的 iso-
lation 表格 显示 标准 和 optional 分开 比率.
* ul 公认的 文件 e71639
** 为 4000 v 分开, 使用 v后缀 在 部分 号码.
* ul 公认的 产品 每 ul 文件 e71639
** 为 4000 v 分开, 使用 v 后缀 在 部分 号码.
电的 分开
从 leads 至 挂载 tab *
VACRMS
至-218
分开的
至-220
分开的
至-218x
分开的
2500
标准 标准 标准
4000
n/一个 optional ** n/一个
mt2 积极的
(积极的 half 循环)
mt2 负的
(负的 half 循环)
MT1
MT2
+
I
GT
REF
QII
MT1
I
GT
门
MT2
REF
MT1
MT2
REF
MT1
MT2
REF
QI
QIV
QIII
所有 polarities 是 关联 至 mt1
(
-
)
I
GT
门
(+)
I
GT
-
I
GT
门
(
-
)
I
GT
门
(+)
+
-
便条: alternistors 将 不 运作 在 qiv
热的 阻抗 (稳步的 状态)
R
JC
[R
JA
] (典型值.
c/w
包装 代号
KJLRDVN
Type
至-218
分开的 *
至-218x
分开的 *
至-220
分开的 **
至-220
非-分开的
至-252
d-pak
至-251
v-pak
至-263
D
2
Pak
6 一个 3.3 [50] 1.80 [45] 2.1 2.3 [64] 1.80
8 一个 2.8 1.50 1.8 2.1 1.50
10 一个 2.6 1.30 1.30
12 一个 2.3 1.20 1.20
16 一个 2.1 1.10 1.10
25 一个 1.35 1.32 2.0 0.87 0.87
30 一个 2.3
35 一个 0.85
40 一个 0.97 0.95
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