半导体 组 591
1M
×
36-位 动态 内存 单元
(2m
×
18-位 动态 内存 单元)
先进的 信息
hym 361120/40s/gs-60/-70
•
1 048 576 words 用 36-位 organization
(alternative 2 097 152 words 用 18-位)
•
快 进入 和 循环 时间
60 ns 进入 时间
110 ns 循环 时间 (-60 版本)
70 ns 进入 时间
130 ns 循环 时间 (-70 版本)
•
快 页 模式 能力 和
40 ns 循环 时间 (-60 版本)
45 ns 循环 时间 (-70 版本)
•
单独的 + 5 v (
±
10 %) 供应
•
低 电源 消耗
最大值 6820 mw 起作用的 (-60 版本)
最大值 6160 mw 起作用的 (-70 版本)
CMOS – 66 mw 备用物品
TTL – 132 mw 备用物品
•
cas-在之前-ras refresh, ras-仅有的-refresh,
hidden refresh
订货 信息
类型 订货 代号 包装 描述
hym 361140s-60 q67100-q959 l-sim-72-8 dram 单元 (进入 时间 60 ns)
hym 361140s-70 q67100-q958 l-sim-72-8 dram 单元 (进入 时间 70 ns)
hym 361120s-60 q67100-q942 l-sim-72-3 dram 单元 (进入 时间 60 ns)
hym 361120s-70 q67100-q741 l-sim-72-3 dram 单元 (进入 时间 70 ns)
hym 361140gs-60 q67100-q1019 l-sim-72-8 dram 单元 (进入 时间 60 ns)
hym 361140gs-70 q67100-q651 l-sim-72-8 dram 单元 (进入 时间 70 ns)
hym 361120gs-60 q67100-q961 l-sim-72-3 dram 单元 (进入 时间 60 ns)
hym 361120gs-70 q67100-q960 l-sim-72-3 dram 单元 (进入 时间 70 ns)
半导体 组 591 06.94
•
12 解耦 电容 挂载 在
基质
•
所有 输入, 输出 和 时钟 全部地 ttl
兼容
•
72 管脚 单独的 在-线条 记忆 单元
•
运用 四 1m
×
1-drams 和 第八
1M
×
4-drams 在 300 mil soj 包装
•
1024 refresh 循环/16 ms
•
tin-含铅的 联系 焊盘 (s - 版本)
•
金 联系 焊盘 (gs - 版本)
•
hym 321140s: 单独的 sided 单元 和
31.75 mm (1250 mil) height
•
hym 321120s: 翻倍 sided 单元 和
25.40 mm (1000 mil) height
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