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资料编号：566607
 
资料名称：QM150DY-HBK
 
文件大小： 89.13K
   
说明：
 
介绍:
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
二月.1999
0
10
1
10
–1
10
0
10
7
5
4
3
2
–2
10
7
5
4
3
2
1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8
V
CE
=2.5v
T
j
=25°C
500
400
300
200
100
0
012345
T
j
=25°C
I
B
=200mA
I
B
=50mA
I
B
=0.5a
I
B
=1A
I
B
=100mA
2
10
4
10
7
5
4
3
2
3
10
7
5
4
3
2
23457
2
10
23457
3
10
1
10
V
CE
=2.5v
V
CE
=5.0v
T
j
=25°C
T
j
=125°C
1
10
7
5
4
3
2
0
10
7
5
4
3
2
–1
10
23457
2
10
23457
3
10
1
10
T
j
=25°C
T
j
=125°C
V
是(sat)
V
ce(sat)
I
B
=200mA
753275327532444
–2
10
0
1
2
3
4
5
–1
10
T
j
=25°C
T
j
=125°C
I
C
=150A
I
C
=100A
I
C
=200A
1
10
7
5
4
3
2
0
10
7
5
4
3
2
–1
10
23457
2
10
234
1
10
45 7
T
j
=25°C
T
j
=125°C
I
B1
=300mA
V
CC
=300V
I
B2
=–3A
t
在
t
s
t
f
效能 曲线
一般 发射级 输出
特性 (典型)
一般 发射级 输入
典型的 (典型)
饱和 电压
特性 (典型)
集电级-发射级 饱和
电压 (典型)
切换 时间 vs. 集电级
电流 (典型)
直流 电流 增益 vs.
集电级 电流 (典型)
集电级 电流 I
C
(一个)
直流 电流 增益 h
FE
集电级-发射级 电压 V
CE
(v) 集电级 电流 I
C
(一个)
根基 电流 I
B
(一个)
集电级-发射级 饱和
电压
V
CE
(sat)
(v)
饱和 电压 V
ce (sat)
, v
是 (sat)
(v)切换 时间 t
在
, t
s
, t
f
(
µ
s)
集电级 电流 I
C
(一个)根基-发射级 电压 V
是
(v)
根基 电流 I
B
(一个) 集电级 电流 I
C
(一个)
mitsubishi 晶体管 modules
qm150dy-hbk
高 电源 切换 使用
insulated 类型
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