二月.1999
标识
V
cex (sus)
V
CEX
V
CBO
V
EBO
I
C
–I
C
P
C
I
B
–I
CSM
T
j
T
stg
V
iso
—
—
参数
集电级-发射级 电压
集电级-发射级 电压
集电级-根基 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
集电级 反转 电流
集电级 消耗
根基 电流
surge 集电级 反转 电流
(向前 二极管 电流)
接合面 温度
存储 温度
分开 电压
挂载 torque
重量
比率
600
600
600
7
100
350
4.5
100
1000
–40~+150
–40~+125
2500
0.98~1.47
10~15
1.47~1.96
15~20
0.98~1.47
10~15
520
情况
I
C
=1a, v
EB
=2V
V
EB
=2V
发射级 打开
集电级 打开
直流
直流 (向前 二极管 电流)
T
C
=25
°
C
直流
顶峰 值 的 一个 循环 的 60hz (half 波)
charged 部分 至 情况, 交流 为 1 分钟
主要的 终端 screw m4
挂载 screw m5
b(e) teminal screw m4
典型 值
绝对 最大 比率
(tj=25
°
c, 除非 否则 指出)
单位
V
V
V
V
一个
一个
W
一个
一个
°
C
°
C
V
N·m
kg·cm
N·m
kg·cm
N·m
kg·cm
g
mitsubishi 晶体管 modules
qm100tx1-hb
高 电源 切换 使用
insulated 类型
电的 特性
(tj=25
°
c, 除非 否则 指出)
单位
毫安
毫安
毫安
V
V
V
—
µ
s
µ
s
µ
s
°
c/w
°
c/w
°
c/w
限制
最小值
—
—
—
—
—
—
750
—
—
—
—
—
—
标识
I
CEX
I
CBO
I
EBO
V
ce (sat)
V
是 (sat)
–V
CEO
h
FE
t
在
t
s
t
f
R
th (j-c) q
R
th (j-c) r
R
th (c-f)
参数
集电级 截止 电流
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
集电级-发射级 饱和 电压
根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 反转 电压
直流 电流 增益
切换 时间
热的 阻抗
(接合面 至 情况)
联系 热的 阻抗
(情况 至 fin)
测试 情况
V
CE
=600v, v
EB
=2V
V
CB
=600v, 发射级 打开
V
EB
=7v, 集电级 打开
I
C
=100a, i
B
=150mA
I
C
=–100a (二极管 向前 电压)
I
C
=100a, v
CE
=2.5v
V
CC
=300v, i
C
=100a, i
B1
=150ma, –i
B2
=2.0a
晶体管 部分 (每 1/6 单元)
二极管 部分 (每 1/6 单元)
传导性的 grease 应用 (每 1/6 单元)
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大值
1.0
1.0
150
2.5
3.0
1.8
—
2.0
8.0
3.0
0.35
1.3
0.2
: 点此下载
