QM5HG-24_集成电路资料查询网

二月.1999
测试 情况
V
CE
=1200v, v
EB
=2V
V
CB
=1200v, 发射级 打开
V
EB
=7V
I
C
=3a, i
B
=0.6a
I
C
=3a, v
CE
=1V
V
CC
=600v, i
C
=3a, i
B1
=0.6a, –i
B2
=1.2a
晶体管 部分
二极管 部分
传导性的 grease 应用
最小值
—
—
—
—
—
5
—
—
—
—
—
—
标识
I
CEX
I
CBO
I
EBO
V
ce (sat)
V
是 (sat)
h
FE
t
在
t
s
t
f
R
th (j-c) q
R
th (j-c) r
R
th (c-f)
情况
V
EB
=2V
发射级 打开
集电级 打开
直流
T
C
=25
°
C
直流
挂载 screw m3
典型 值
绝对 最大 比率
(tj=25
°
c, 除非 否则 指出)
标识
V
CEX
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
I
B
T
j
T
stg
—
—
参数
集电级-发射级 电压
集电级-根基 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
集电级 消耗
根基 电流
接合面 温度
存储 温度
挂载 torque
重量
比率
1200
1200
7
5.0
100
2
–40~+150
–40~+125
0.59~0.98
6~10
5
单位
V
V
V
一个
W
一个
°
C
°
C
N·m
kg·cm
g
mitsubishi 晶体管 modules
qm5hg-24
中等 电源 切换 使用
非-insulated 类型
电的 特性
(tj=25
°
c, 除非 否则 指出)
单位
毫安
毫安
毫安
V
V
—
µ
s
µ
s
µ
s
°
c/w
°
c/w
°
c/w
限制
参数
集电级 截止 电流
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
集电级-发射级 饱和 电压
根基-发射级 饱和 电压
直流 电流 增益
切换 时间
热的 阻抗
(接合面 至 情况)
联系 热的 阻抗
(情况 至 fin)
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大值
1.0
1.0
50
1.0
1.5
—
1.0
4.0
0.8
1.25
—
0.5

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二月.1999 测试情况 V CE =1200v, v EB =2V V CB =1200v, 发射级打开 V EB =7V I C =3a, i B =0.6a I C =3a, v CE =1V V CC =600v, i C =3a, i B1 =0.6a, –i B2 =1.2a 晶体管部分二极管部分传导性的 grease 应用最小值 — — — — — 5 — — — — — — 标识 I CEX I CBO I EBO V ce (sat) V 是 (sat) h FE t 在 t s t f R th (j-c) q R th (j-c) r R th (c-f) 情况 V EB =2V 发射级打开集电级打开直流 T C =25 ° C 直流挂载 screw m3 典型值绝对最大比率 (tj=25 ° c, 除非否则指出) 标识 V CEX V CBO V EBO I C P C I B T j T stg — — 参数集电级-发射级电压集电级-根基电压发射级-根基电压集电级电流集电级消耗根基电流接合面温度存储温度挂载 torque 重量比率 1200 1200 7 5.0 100 2 –40~+150 –40~+125 0.59~0.98 6~10 5 单位 V V V 一个 W 一个 ° C ° C N·m kg·cm g mitsubishi 晶体管 modules qm5hg-24 中等电源切换使用非-insulated 类型电的特性 (tj=25 ° c, 除非否则指出) 单位毫安毫安毫安 V V — µ s µ s µ s ° c/w ° c/w ° c/w 限制参数集电级截止电流集电级截止电流发射级截止电流集电级-发射级饱和电压根基-发射级饱和电压直流电流增益切换时间热的阻抗 (接合面至情况) 联系热的阻抗 (情况至 fin) 典型值 — — — — — — — — — — — — 最大值 1.0 1.0 50 1.0 1.5 — 1.0 4.0 0.8 1.25 — 0.5

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