二月.1999
绝对 最大 比率
(tj=25
°
c, 除非 否则 指出)
电的 特性
(tj=25
°
c, 除非 否则 指出)
单位
毫安
毫安
毫安
V
V
V
—
µ
s
µ
s
µ
s
°
c/w
°
c/w
°
c/w
限制
最小值
—
—
—
—
—
—
75/100
—
—
—
—
—
—
标识
V
cex (sus)
V
CEX
V
CBO
V
EBO
I
C
–I
C
P
C
I
B
–I
CSM
T
j
T
stg
V
iso
—
—
参数
集电级-发射级 电压
集电级-发射级 电压
集电级-根基 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
集电级 反转 电流
集电级 消耗
根基 电流
surge 集电级 反转 电流
(向前 二极管 电流)
接合面 温度
存储 温度
分开 电压
挂载 torque
重量
情况
I
C
=1a, v
EB
=2V
V
EB
=2V
发射级 打开
集电级 打开
直流
直流 (向前 二极管 电流)
T
C
=25
°
C
直流
顶峰 值 的 一个 循环 的 60hz (half 波)
charged 部分 至 情况, 交流 为 1 分钟
主要的 终端 screw m5
挂载 screw m6
典型 值
比率
600
600
600
7
75
75
350
4.5
750
–40~+150
–40~+125
2500
1.47~1.96
15~20
1.96~2.94
20~30
210
单位
V
V
V
V
一个
一个
W
一个
一个
°
C
°
C
V
N·m
kg·cm
N·m
kg·cm
g
标识
I
CEX
I
CBO
I
EBO
V
ce (sat)
V
是 (sat)
–V
CEO
h
FE
t
在
t
s
t
f
R
th (j-c) q
R
th (j-c) r
R
th (c-f)
参数
集电级 截止 电流
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
集电级-发射级 饱和 电压
根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 反转 电压
直流 电流 增益
切换 时间
热的 阻抗
(接合面 至 情况)
联系 热的 阻抗
(情况 至 fin)
测试 情况
V
CE
=600v, v
EB
=2V
V
CB
=600v, 发射级 打开
V
EB
=7V
I
C
=75a, i
B
=1A
–I
C
=75a (二极管 向前 电压)
I
C
=50a, v
CE
=2v/5v
V
CC
=300v, i
C
=75a, i
B1
=–I
B2
=1.5a
晶体管 部分 (每 1/2 单元)
二极管 部分 (每 1/2 单元)
传导性的 grease 应用 (每 1/2 单元)
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大值
1.0
1.0
75
2.0
2.5
1.85
—
2.5
15
3.0
0.35
1.3
0.15
mitsubishi 晶体管 modules
qm75cy-h
高 电源 切换 使用
insulated 类型
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