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资料编号：567303
 
资料名称：QM75DY-2HB
 
文件大小： 77.2K
   
说明：
 
介绍:
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
二月.1999
–1
10
–2
10
0
10
200
160
120
80
40
0
01 23 4 5
T
j
=25°C
I
B
=400mA
I
B
=200mA
I
B
=20mA
I
B
=40mA
I
B
=100mA
4
10
7
5
4
3
2
3
10
7
5
4
3
2
2
10
45 7
1
10
23457
2
10
V
CE
=4.0v
T
j
=25°C
T
j
=125°C
234
0
10
–1
10
7
5
4
3
2
7
5
4
3
3.0 3.4 3.8 4.2 4.6
5.0
V
CE
=4.0v
T
j
=25°C
3
2
1
10
7
5
4
3
2
0
10
7
5
4
3
2
–1
10
45 7
1
10
23457
2
10
V
ce(sat)
V
是(sat)
234
T
j
=25°C
T
j
=125°C
I
B
=100mA
0
7532753
5
4
3
2
1
44 75324 2
T
j
=25°C
T
j
=125°C
I
C
=75A
I
C
=100A
I
C
=50A
3
1
10
7
5
4
3
2
0
10
7
5
4
3
2
1
10
23457
2
10
23457
3
10
2
T
j
=25°C
T
j
=125°C
t
f
t
在
t
s
V
CC
=600V
I
B1
=150mA
I
B2
=–1.5a
V
CE
=10V
效能 曲线
一般 发射级 输出
特性 (典型)
一般 发射级 输入
典型的 (典型)
饱和 电压
特性 (典型)
集电级-发射级 饱和
电压 (典型)
切换 时间 vs. 集电级
电流 (典型)
直流 电流 增益 vs.
集电级 电流 (典型)
集电级 电流 I
C
(一个)
直流 电流 增益 h
FE
集电级-发射级 电压 V
CE
(v) 集电级 电流 I
C
(一个)
根基 电流 I
B
(一个)
集电级-发射级 饱和
电压
V
CE
(sat)
(v)
饱和 电压 V
ce (sat)
, v
是 (sat)
(v)切换 时间 t
在
, t
s
, t
f
(
µ
s)
集电级 电流 I
C
(一个)根基-发射级 电压 V
是
(v)
根基 电流 I
B
(一个) 集电级 电流 I
C
(一个)
mitsubishi 晶体管 modules
qm75dy-2hb
高 电源 切换 使用
insulated 类型
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