R1LP0408CSB-5SC_集成电路资料查询网

r1lp0408c-c 序列
rev.2.00,  将.26.2004,  页 12 的 12
低 v
CC
数据 保持 特性
(ta =
−
20 至 +70
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
*
3
V
CC
为 数据 保持 V
DR
2


V CS#
≥
V
CC
−
0.2 v, vin
≥
0 v
至 +70
°
c i
CCDR


8
µ
一个 v
CC
= 3.0 v, vin
≥
0 v
至 +40
°
c i
CCDR

1.0
*
2
3
µ
一个 cs#
≥
V
CC
−
0.2 v
−
5SC
至 +25
°
C I
CCDR

0.8
*
1
3
µ
一个
至 +70
°
c i
CCDR


16
µ
一个
至 +40
°
c i
CCDR

1.0
*
2
10
µ
一个
数据
保持
电流
−
7LC
至 +25
°
C I
CCDR

0.8
*
1
10
µ
一个
碎片 deselect 至 数据 保持 时间 t
CDR
0


 ns 看 保持 波形
运作 恢复 时间 t
R
t
RC
*
4


ns
注释: 1. 典型 值 是 在 v
CC
= 3.0 v, ta = +25
°
c 和 指定 loading, 和 不 有保证的.
 2. 典型 值 是 在 v
CC
= 3.0 v, ta = +40
°
c 和 指定 loading, 和 不 有保证的.
 3. cs# 控制 地址 缓存区, we# 缓存区, oe#缓存区, 和 din 缓存区.  在 数据 保持 模式,
vin 水平 (地址, we#, oe#, i/o)能 是 在 这 high 阻抗 状态.
4. t
RC
= 读 循环 时间.
低 v
CC
数据 保持 定时 波形
(cs# 控制)
V
CC
4.5 v
2.2 v
0 v
CS#
t
CDR
t
R
CS#
≥
V
CC
– 0.2 v
V
DR
数据 保持 模式

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r1lp0408c-c 序列 rev.2.00, 将.26.2004, 页 12 的 12 低 v CC 数据保持特性 (ta = − 20 至 +70 ° c) 参数标识最小值典型值最大值单位测试情况 * 3 V CC 为数据保持 V DR 2   V CS# ≥ V CC − 0.2 v, vin ≥ 0 v 至 +70 ° c i CCDR   8 µ 一个 v CC = 3.0 v, vin ≥ 0 v 至 +40 ° c i CCDR  1.0 * 2 3 µ 一个 cs# ≥ V CC − 0.2 v − 5SC 至 +25 ° C I CCDR  0.8 * 1 3 µ 一个至 +70 ° c i CCDR   16 µ 一个至 +40 ° c i CCDR  1.0 * 2 10 µ 一个数据保持电流 − 7LC 至 +25 ° C I CCDR  0.8 * 1 10 µ 一个碎片 deselect 至数据保持时间 t CDR 0   ns 看保持波形运作恢复时间 t R t RC * 4   ns 注释: 1. 典型值是在 v CC = 3.0 v, ta = +25 ° c 和指定 loading, 和不有保证的. 2. 典型值是在 v CC = 3.0 v, ta = +40 ° c 和指定 loading, 和不有保证的. 3. cs# 控制地址缓存区, we# 缓存区, oe#缓存区, 和 din 缓存区. 在数据保持模式, vin 水平 (地址, we#, oe#, i/o)能是在这 high 阻抗状态. 4. t RC = 读循环时间. 低 v CC 数据保持定时波形 (cs# 控制) V CC 4.5 v 2.2 v 0 v CS# t CDR t R CS# ≥ V CC – 0.2 v V DR 数据保持模式

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