mitsubishi rf 电源 单元
RA30H2127M
RA30H2127M
mitsubishi electric
23Dec2002
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静电的 敏感的 设备
注意到 处理 pRECAUTIONS
预防措施, recommendations, 和 应用 信息:
构建:
这个 单元 组成 的 一个 alumina subst比率 焊接 面向 一个 铜 flange. 为 机械的 保护, 一个 塑料 cap
是 连结 和 silicone. 这 场效应晶体管 晶体管 碎片 是 消逝 绑定 面向 metal, 线 绑定 至 这 基质, 和
coated 和 resin. 线条 在 这 基质 (eventually inductors), 碎片 电容, 和 电阻器 表格 这 偏差 和
相一致 电路. 线 leads 焊接 面向 这 alumina 基质 提供 这 直流 和 rf 连接.
下列的 情况 必须 是 避免:
一个) bending forces 在 这 alumina 基质 (为 例子, 用 driving screws 或者 从 快 热的 改变)
b) 机械的 压力 在 这 wire leads(为 例子, 用 第一 焊接 然后 驱动 screws 或者 用 热的 expansion)
c) defluxing solvents reacting 和 这 resin coating 在 这 场效应晶体管 碎片(为 例子, trichlorethylene)
d) frequent 开关 切换 那 导致 热的 expansion 的 这 resin
e)静电释放, surge, 超（电）压 在 结合体 和 加载 vswr, 和 振动
静电释放:
这个 场效应晶体管 单元 是 敏感的 至 静电释放 电压 向下 至 1000v. 适合的 静电释放 预防措施 是 required.
挂载:
热温 下沉 flatness 必须 是 较少 比 50 µm (一个 热温 下沉 那 是 不 flat 或者 particles 在 单元 和 热温 下沉 将
导致 这 陶瓷的 基质 在 这 单元 至 裂开 用 bending forces, 也 立即 当 驱动 screws 或者 后来的
when 热的 expansion forces 是 增加).
一个 热的 复合 在 单元 和 热温 下沉 是 推荐 为 低 热的 联系 阻抗 和 至 减少
这 bending 压力 在 这 陶瓷的 基质 造成 用 这 温度 区别 至 这 热温 下沉.
这 module 必须 第一 是 screwed 至 这 热温 下沉, 然后 这 leads 能 是 焊接 至 这 打印 电路 板.
m3 screws 是 推荐 和 一个 tightening torque 的 0.4 至 0.6 nm.
焊接 和 defluxing:
这个 单元 是 设计 为 手工的 焊接.
这 leads必须 是 焊接 之后 这 单元 是 screwed 面向 这 热温 下沉.
这 焊接 温度 必须 是 更小的 比 260°c 为 一个 最大 的 10 秒, 或者 更小的 比 350°c 为 一个 最大
的 三 秒.
ethyl alcohol 是 推荐 为 removing 通量. trichlorethylene solvents 必须 不 是 使用 (它们 将 导致 bubbles 在
这 coating 的 这 晶体管 碎片 这个 能 lift 止 这 bond 线).
热的 设计 的 这 热温 下沉:
在 p
输出
=30w, v
DD
=12.5v 和 p
在
=50mW各自 平台 晶体管运行 情况 是:
平台
P
在
(w)
P
输出
(w)
R
th(ch-情况)
(°c/w)
I
DD
@
η
T
=40%
(一个)
V
DD
(v)
1
st
0.05 5.0 4.5 0.95
2
nd
5.0 30.0 1.2 5.0
12.5
这 频道 温度 的 各自 平台 晶体管 t
ch
= t
情况
+ (v
DD
x i
DD
-P
输出
+ p
在
) x r
th(ch-情况)
是:
T
ch1
= t
情况
+ (12.5v x 0.95一个–5.0W+ 0.05w) x4.5°c/w = t
情况
+31.2°C
T
ch2
= t
情况
+ (12.5v x5.0一个-30.0w +5.0w) x1.2°c/w = t
情况
+45.0 °c
为 长-期 可靠性, 它 是 最好的 至 保持 这 单元 情况 温度 (t
情况
) 在下 90°c. 为 一个 包围的
温度 t
空气
=60°c 和 p
输出
=30W,这 必需的 热的 阻抗 r
th (情况-空气)
= ( t
情况
-T
空气
) / ( (p
输出
/
η
T
)-P
输出
+
P
在
) 的 这 热温 下沉, 包含 这 联系 阻抗, 是:
R
th(情况-空气)
= (90°c-60°c) / (30w/40%–30w + 0.05w) = 0.67 °c/w
当 挂载 这 单元 和 这热的 阻抗 的 0.67 °c/w, 这 频道 温度 的 各自 平台 晶体管
是:
T
ch1
= t
空气
+31.2°C
T
ch2
= t
空气
+45.0 °c
这175°c 最大 比率 为 这 频道 温度 确保 应用 下面 derated 情况.
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