RB161L-40_集成电路资料查询网

rb161l-40
二极管
肖特基 屏障 二极管
rb161l-40
z
产品
高 频率 整流
为 切换 电源 供应
z
特性
1)紧凑的 电源 模型 类型. (pmds)
2) 过激 低 v
F
.( v
F
=0.35v 典型值 在 1a)
3) v
RM
=40v 有保证的.
z
构建
硅 外延的 planar
z
zz
z
外部 维度
(单位 : mm)
0.1
cathode mark
4.5±0.2
2.6±0.2
2.0±0.2
1.2±0.3
1.5±0.2
33
5.0±0.3
+
0.02
−
0.1
rohm : pmds
eiaj :
−
电子元件工业联合会 : sod-106
日期 的 制造  ex. 1999.12
→
9, c
z
zz
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
参数 标识
V
RM
限制
40
单位
V
顶峰 反转 电压
V
R
20 V
直流 反转 电压
I
O
1A
意思 rectifying 电流
∗
I
FSM
70 一个
顶峰 向前 surge 电流
Tj 125
˚C
接合面 温度
Tstg
−
40
∼+
125
˚C
存储 温度
∗
当 挂载 在 pcb
z
zz
z
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数
向前 电压
反转 电流
标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
F
I
R
−
−
−
−
0.40
1
V
毫安
I
F
=1.0a
V
R
=20V

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rb161l-40 二极管肖特基屏障二极管 rb161l-40 z 产品高频率整流为切换电源供应 z 特性 1)紧凑的电源模型类型. (pmds) 2) 过激低 v F .( v F =0.35v 典型值在 1a) 3) v RM =40v 有保证的. z 构建硅外延的 planar z zz z 外部维度 (单位 : mm) 0.1 cathode mark 4.5±0.2 2.6±0.2 2.0±0.2 1.2±0.3 1.5±0.2 33 5.0±0.3 + 0.02 − 0.1 rohm : pmds eiaj : − 电子元件工业联合会 : sod-106 日期的制造 ex. 1999.12 → 9, c z zz z 绝对最大比率 (ta=25 ° c) 参数标识 V RM 限制 40 单位 V 顶峰反转电压 V R 20 V 直流反转电压 I O 1A 意思 rectifying 电流 ∗ I FSM 70 一个顶峰向前 surge 电流 Tj 125 ˚C 接合面温度 Tstg − 40 ∼+ 125 ˚C 存储温度 ∗ 当挂载在 pcb z zz z 电的特性 (ta=25 ° c) 参数向前电压反转电流标识最小值典型值最大值单位情况 V F I R − − − − 0.40 1 V 毫安 I F =1.0a V R =20V

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