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资料编号:572365
 
资料名称:RB421D
 
文件大小: 57.19K
   
说明
 
介绍:
Schottky barrier diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
RB421D
二极管
rev.一个 2/3
z
电的 典型的 曲线
(ta = 25
°
c)
向前 voltage:vf(mv)
vf-如果 特性
向前 电流:如果(毫安)
反转 电流:ir(ua)
反转 voltage:vr(v)
vr-ir 特性
电容 在
terminals:ct(pf)
反转 电压:vr(v)
vr-ct 特性
vf dispersion 编排
向前 电压:vf(mv)
反转 电流:ir(ua)
ir dispersion 编排
电容 在
terminals:ct(pf)
ct dispersion 编排
ifsm disresion 编排
顶峰 surge
向前 电流:ifsm(一个)
顶峰 surge
向前 电流:ifsm(一个)
号码 的 循环
ifsm-循环 特性
顶峰 surge
向前 电流:ifsm(一个)
时间:t(ms)
ifsm-t 特性
时间:t(s)
rth-t 特性
瞬时
thaermal 阻抗:rth (℃/w)
trr dispersion 编排
向前 电压:vf(mv)
vf dispersion 编排
保留 恢复 时间:trr(ns)
0.01
0.1
1
10
100
0 100 200 300 400 500 600
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
0 5 10 15 20 25 30 35
1
10
100
0 102030
f=1MHz
420
430
440
450
460
470
ave:439.5mv
Ta=25℃
IF=100mA
n=30pcs
260
270
280
290
300
310
ave:281.5mv
Ta=25℃
IF=10mA
n=30pcs
0
5
10
15
20
25
30
Ta=25℃
VR=10V
n=10pcs
ave:2.548ua
0
5
10
15
20
ave:5.50a
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
5
10
15
20
25
30
ave:6.20ns
0
5
10
15
0.1 1 10 100
8.3ms
Ifsm
1cyc
8.3ms
0
5
10
15
0.1 1 10 100
t
Ifsm
1
10
100
1000
0.001 0.1 10 1000
rth(j-一个)
rth(j-c)
1ms
IM=1mA IF=10mA
300us
时间
挂载 在 环氧的 板
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=25℃
Ta=75℃
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
ave:6.09pf
Ta=25℃
f=1MHz
VR=10V
n=10pcs
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