RB520S-30_集成电路资料查询网

rb520s-30
二极管
rev.b
1/3
肖特基 屏障 二极管
rb520s-30
z
产品
EMD2
0.8
1.7
0.6
低 电流 整流
z
特性
1) 过激 小 模型 类型. (emd2)
2) 低 i
R
.
3) 高 可靠性.
z
构建
硅 外延的 planar
z
外部 维度
(单位 : mm)
z
地带 大小 图示
(单位 : mm)
z
结构
z
taping 规格
(单位 : mm)
 
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
反转 电压 (直流)
平均 调整的 forw
F
接合面 温度
存储 温度
z
电的 特性
(ta=25
°
c)
标识 单位
V
R
V
Io 毫安
I
FSM
一个
Tj
℃
Tstg
℃
orward 电流 surge 顶峰
（
60Hz
・
1cyc
）
1
150
参数
ard 电流
-40 至 +125
限制
30
200
rohm : emd2
jeita : sc-79
电子元件工业联合会 :sod-523
点 (年 week 工厂)
0.12±0.05
0.6±0.1
0.3±0.05
0.8±0.05
1.2±0.05
1.6±0.1
0.95±0.06
0
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.05
3.5±
标识 最小值 典型值 最大值 单位
V
F
--0.6v
I
F
=200mA
I
R
--1µA
V
R
=10V
情况
反转 电流
参数
orward voltagef
0.05
15
1.75±0.1
8.0±0.
0.2±0.05
0.76±0.05
1.26±0.05
0
φ0.5
0.6
2.0±0.05
1.3±0.06
0
2.45±0.1
空ポケット
0.2
empty pocket

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rb520s-30 二极管 rev.b 1/3 肖特基屏障二极管 rb520s-30 z 产品 EMD2 0.8 1.7 0.6 低电流整流 z 特性 1) 过激小模型类型. (emd2) 2) 低 i R . 3) 高可靠性. z 构建硅外延的 planar z 外部维度 (单位 : mm) z 地带大小图示 (单位 : mm) z 结构 z taping 规格 (单位 : mm) z 绝对最大比率 (ta=25 ° c) 反转电压 (直流) 平均调整的 forw F 接合面温度存储温度 z 电的特性 (ta=25 ° c) 标识单位 V R V Io 毫安 I FSM 一个 Tj ℃ Tstg ℃ orward 电流 surge 顶峰（ 60Hz ・ 1cyc ） 1 150 参数 ard 电流 -40 至 +125 限制 30 200 rohm : emd2 jeita : sc-79 电子元件工业联合会 :sod-523 点 (年 week 工厂) 0.12±0.05 0.6±0.1 0.3±0.05 0.8±0.05 1.2±0.05 1.6±0.1 0.95±0.06 0 4.0±0.1 4.0±0.1 2.0±0.05 φ1.5±0.05 3.5± 标识最小值典型值最大值单位 V F --0.6v I F =200mA I R --1µA V R =10V 情况反转电流参数 orward voltagef 0.05 15 1.75±0.1 8.0±0. 0.2±0.05 0.76±0.05 1.26±0.05 0 φ0.5 0.6 2.0±0.05 1.3±0.06 0 2.45±0.1 空ポケット 0.2 empty pocket

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