产品 规格 RC5058
rev. 1.0.0 6/30/00
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表格 2. rc5058 应用 bill 的 材料
(组件 为基础 在 worst 情况 分析
—
看 附录 为 详细信息)
注释:
1. inductor l1 是 推荐 至 分开 这 5v 输入 供应 从 噪音 发生 用 这 场效应晶体管 切换, 和 至 遵守
和 intel di/dt (所需的)东西. l1 将 是 omitted 如果 desired.
2. 为 17.4a 设计 使用 这 至-220 mosfets, heatsinks 和 热的 阻抗
Θ
SA
< 20
°
c/w 应当 是 使用. 为 设计
使用 这 至-263 mosfets, 足够的 铜 范围 应当 是 使用. 为 详细信息 和 一个 spreadsheet 在 场效应晶体管 selections,
谈及 至 产品 bulletins ab-8 和 ab-15.
*refer 至 附录 为 值.
涉及 生产者 部分 # Quantity 描述 (所需的)东西/comments
C1 AVX
TAJB475M010R5
1 4.7µf, 10v 电容
c2, c5 Panasonic
ecu-v1c105zfx
2 1µf, 16v 电容
c3-4,c6 Panasonic
ecu-v1h104zfx
3 100nf, 50v 电容
c7-9 Sanyo
6MV1000FA
3 1000µf, 6.3v electrolytic
c10-12 任何 3 22µf, 6.3v 电容 低 等效串联电阻
C
在
Sanyo
10MV1200GX
* 1200µf, 10v electrolytic I
RMS
= 2a
C
输出
Sanyo
6MV1500GX
* 1500µf, 6.3v electrolytic 等效串联电阻
≤
44m
Ω
D1 Motorola
MBRD835L
1 8a 肖特基 二极管
L1 任何 Optional 2.5µh, 8a inductor dcr ~ 10m
Ω
看 便条 1.
L2 任何 1 1.3µh, 20a inductor dcr ~ 2m
Ω
Q1 仙童
FDB6030L
1 n-频道 场效应晶体管 R
ds(在)
= 20m
Ω
@
V
GS
= 4.5v 看 便条 2.
Q2 仙童
FDB7030BL
1 n-频道 场效应晶体管 R
ds(在)
= 10m
Ω
@
V
GS
= 4.5v 看 便条 2.
q3-5 仙童
FDB4030L
3 n-频道 场效应晶体管
R1 任何 1 33
Ω
r2-3 任何 2 4.7
Ω
R4 任何 1 10K
Ω
R5 任何 1 *
R6 任何 1 10
Ω
R7 任何 1 *
U1 仙童
RC5058M
1 直流/直流 控制
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