®
REF200
7
100µa/200µa
45
3
在 输出
Com
Mirror
S
遵从 至 –v + 1.5v
+V
S
100µA100µA
S
–V
图示 6. 改进 低-电压 遵从. 图示 7. 100
µ
一个 电流 source—80v 遵从.
100µA
100µA
± ±
40k
Ω
40k
Ω
0.01µf
0.01µf
1N41481N4148
1N41481N4148
(e) 双向的 200µa
cascoded 电流 源.
100µA
100µA
40k
Ω
40k
Ω
0.01µf
0.01µf
(d) floating 200µa cascoded
电流 源.
100µA
L
o
一个
d
–V
S
+V
S
(一个) 遵从 近似的
至 地. hv 遵从
限制 用 场效应晶体管 损坏.
100µA
L
o
一个
d
+V
S
(b) 遵从 至 +v – 5v.
高
低
100µA
–V
S
33k
Ω
0.01µf
S
100µA
L
o
一个
d
+V
S
(c)
–V
S
27k
Ω
5.1v
1N4689
注释: (1) 场效应晶体管 cascoded 电流 来源 提供 改进 输出 阻抗 和 高 频率 运作. 电路 在 (b)
也 提供 改进 psrr.
(2) 为 电流 sinks (电路 (一个) 和 (b) only), invert 电路 和 使用 “n” 频道 jfets.
图示 8. 场效应晶体管 栅地阴地放大器 电路.
101
100
99
0 1020304050607080
应用 电压 (v)
提供 2x 高等级的 遵从 电压
序列-连接 电流 来源
电流 vs 应用 电压
电流 (µa)
100µA
100µA
高
低
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