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资料编号:576778
 
资料名称:RF071M2S
 
文件大小: 47.88K
   
说明
 
介绍:
Fast recovery Diodes (Silicon Epitaxial Planar)
 
 


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RF071M2S
二极管
2/2
z
电的 典型的 曲线
(ta=25
°
c)
图.1 向前 温度
特性
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
1000
100
10
1
125
°
C
向前 电流 : i
F
(毫安)
向前 电压 : v
F
(v)
75
°
C
25
°
C
25
°
C
图.2 反转 温度
特性
0
10000
1000
100
10
1
0.1
50 100 150 200
反转 电压 : v
R
(v)
反转 电流 : i
R
(na)
125
°
C
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
0
2.0
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.6
0.4
0.2
25 75 12550 100 150
平均 调整的 电流 : i
O
(一个)
包围的 温度 : ta (
°
c)
图.3 减额 曲线
直流
d=1/2
sin(
θ
=180)
T
t
I
O
0A
0V
V
R
d=t / t
V
R
=200V
Tj=150
°
C
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
向前 电源 消耗 : p
f
(w)
平均 调整的 向前 电流 : i
O
(一个)
直流
d=1/2
sin(
θ
=180)
图. 4 电源 消耗
特性
0
20
15
10
5
1 10 100
循环
surge 向前 电流 : i
FSM
(一个)
图.5 向前 顶峰 surge 电流
8.3ms 8.3ms
1cycle
sin 波
I
FSM
0 5 10 15 20 25 30
100
10
0
电容 在 terminals : c
T
(pf)
反转 电压 : v
R
(v)
图. 6 电容 在
terminals 特性
0
0
6 8 10 12 14 16 18 20
0.25
0.5
0.75
1
1.5
1.25
向前 电流 : i
F
(一个)
恢复 时间: trr (ns)
图. 7 反转 恢复 时间
I
R
=1.0a
irr=0.25 i
R
+
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