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资料编号:576785
 
资料名称:RF1K49093
 
文件大小: 133.63K
   
说明
 
介绍:
2.5A, 12V, 0.130 Ohm, Logic Level, Dual P-Channel LittleFET⑩ Power MOSFET
 
 


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8-157
焊接 预防措施
焊接 处理 creates 一个 considerable 热的 压力
任何 半导体 组件. melting 温度
的 焊盘 是 高等级的 比 这 最大 评估 温度 的
设备. 数量 时间 设备 heated 一个
温度 应当 使减少到最低限度 使确信 设备 可靠性.
因此, 这 下列的 预防措施 应当 总是 是
observed 在 顺序 至 降低 这 热的 压力 至 这个
这 设备 是 subjected.
1. 总是 preheat 这 设备.
2. delta 温度 preheat 焊接
应当 总是 较少 100
o
c. 失败 preheat
设备 能 结果 在 过度的 热的 压力 这个 能
损坏 这 设备.
3. 最大 温度 gradient 应当 较少
5
o
c 每 第二 当 changing 从 preheating 至 焊盘-
ing.
4. 顶峰 温度 焊接 处理 应当
在 least 30
o
c 高等级的 比 这 melting 要点 的 这 焊盘
选择.
5. 最大 焊接 温度 时间 必须
超过 260
o
c 为 10 秒 在 这 leads 和 情况 的
这 设备.
6. 之后 焊接 完全, 设备 应当 允许
cool naturally least 分钟, 强迫 cool-
ing 增加 温度 gradient 结果
在 latent 失败 预定的 至 机械的 压力.
7. 冷却, 机械的 压力 或者 shock 应当
避免.
图示 18. 切换 时间 测试 电路
图示 19. resistive 切换 波形
图示 20. 门 承担 测试 电路 图示 21. 门 承担 波形
测试 电路 和 波形
(持续)
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
d(在)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
t
f
t
d(止)
t
90%
50%
50%
10%
脉冲波 宽度
V
GS
t
10%
0
0
0.3
µ
F
12V
电池
50k
+V
DS
S
DUT
D
G
I
g(ref)
0
(分开的
-v
DS
0.2
µ
F
电流
调整器
I
D
电流
抽样
I
G
电流
抽样
供应)
电阻 电阻
DUT
V
DD
Q
g(th)
V
GS
= -1v
Q
g(-5)
V
GS
= -5v
Q
g(tot)
V
GS
= -10v
V
DS
-v
GS
I
g(ref)
0
0
RF1K49093
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