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资料编号:576866
 
资料名称:RF101L2S
 
文件大小: 47.88K
   
说明
 
介绍:
Fast recovery Diodes (Silicon Epitaxial Planar)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
RF1601T2D
二极管
rev.b 2/3
0.1
1
10
100
0.001 0.1 10 1000
rth(j-一个)
rth(j-c)
1ms
IM=100mA IF=8A
300us
时间
挂载 在 环氧的 板
向前 voltage:vf(mv)
vf-如果 特性
向前 电流:如果(一个)
反转 电流:ir(na)
反转 voltage:vr(v)
vr-ir 特性
电容 在
terminals:ct(pf)
反转 电压:vr(v)
vr-ct 特性
vf dispersion 编排
向前 电压:vf(mv)
反转 电流:ir(na)
ir dispersion 编排
电容 在
terminals:ct(pf)
ct dispersion 编排
ifsm disresion 编排
z
电的 典型的 曲线
顶峰 surge
向前 电流:ifsm(一个)
顶峰 surge
向前 电流:ifsm(一个)
号码 的 循环
ifsm-循环 特性
顶峰 surge
向前 电流:ifsm(一个)
时间:t(ms)
ifsm-t 特性
时间:t(s)
rth-t 特性
瞬时
thaermal 阻抗:rth (℃/w)
向前 电源
消耗:pf(w)
平均 调整的
向前 current:io(一个)
io-pf 特性
trr dispersion 编排
保留 恢复 时间:trr(ns)
f=1MHz
0.001
0.01
0.1
1
10
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 100
0
Ta=125℃
Ta=150℃
Ta=75℃
ta=-25℃
Ta=25℃
0.1
1
10
100
1000
10000
0 50 100 150 200
Ta=150℃
ta=-25℃
Ta=25℃
Ta=75℃
Ta=125℃
1
10
100
1000
0102030
f=1MHz
270
275
280
285
290
295
300
305
310
315
320
ave:293.4pf
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
010
Ta=25℃
VR=200V
n=30pcs
ave:11.6na
840
850
860
870
880
890
ave:862.3mv
Ta=25℃
IF=8A
n=30pcs
0
50
100
150
200
250
300
ave:210.0a
8.3ms
Ifsm
1cyc
0
5
10
15
20
25
30
ave:18.3ns
Ta=25℃
如果=0.5a
IR=1A
irr=0.25*ir
n=10pcs
1
10
100
1000
1 10 100
8.3ms
Ifsm
1cyc
8.3ms
0
5
10
15
20
25
30
0 5 10 15 20 25 30 35 40
sin(θ=180)
d=1/2
直流
10
100
1000
1 10 100
t
Ifsm
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