这 rf 线条
设计 为 电源 放大器 产品 在 工业的, 商业的 和
amateur 无线电 设备 至 30 mhz.
•
指定 12.5 volt, 30 mhz 特性 —
输出 电源 = 80 watts
最小 增益 = 12 db
效率 = 50%
最大 比率
比率 标识 值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
25 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
45 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
4.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
20 模数转换器
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
250
1.43
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +150
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
0.7
°
c/w
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
collector–emitter 损坏 电压 (i
C
= 100 madc, i
B
= 0) V
(br)ceo
18 — — Vdc
collector–emitter 损坏 电压 (i
C
= 50 madc, v
是
= 0) V
(br)ces
36 — — Vdc
emitter–base 损坏 电压 (i
E
= 10 madc, i
C
= 0) V
(br)ebo
4.0 — — Vdc
在 特性
直流 电流 增益 (i
C
= 5.0 模数转换器, v
CE
= 5.0 vdc) h
FE
40 — 150 —
动态 特性
输出 电容 (v
CB
= 15 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz) C
ob
— — 250 pF
函数的 tests
(图示 1)
common–emitter 放大器 电源 增益
(v
CC
= 12.5 vdc, p
输出
= 80 w, f = 30 mhz)
G
pe
12 — — dB
集电级 效率
(v
CC
= 12.5 vdc, p
输出
= 80 w, f = 30 mhz)
η
50 — — %
序列 相等的 输入 阻抗
(v
CC
= 12.5 vdc, p
输出
= 80 w, f = 30 mhz)
Z
在
— .938–j.341 — Ohms
序列 相等的 输出 阻抗
(v
CC
= 12.5 vdc, p
输出
= 80 w, f = 30 mhz)
Z
输出
— 1.16–j.201 — Ohms
并行的 相等的 输入 阻抗
(v
CC
= 12.5 vdc, p
输出
= 80 w, f = 30 mhz)
— — 1.06
Ω
1817 pf
— —
并行的 相等的 输出 阻抗
(v
CC
= 12.5 vdc, p
输出
= 80 w, f = 30 mhz)
— — 1.19
Ω
777 pf
— —
80 w, 30 mhz
rf 电源
晶体管
npn 硅
情况 211–11, 样式 1
顺序 这个 文档
用 mrf
454/d
半导体 technicaLD一个T一个
1
rev 1
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