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资料编号：577120
 
资料名称：IRF7331
 
文件大小： 215.65K
   
说明：
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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10 		 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7331
www.irf.com 7
图 15.
典型 vgs(th) vs.
接合面 温度
图 16.
典型 电源 vs. 时间
0.0001 0.0010 0.0100 0.1000 1.0000 10.0000 100.0000
时间 (秒)
0
10
20
30
40
50
60
电源 (w)
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 温度 ( °c )
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
gs(th)
门 门槛 电压 (v)
I
D
= 250µa
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