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资料编号:577157
 
资料名称:IRFB52N15D
 
文件大小: 134.84K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irfb/irfs/irfsl52n15d
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
g
fs
向前 跨导 19
––– –––
SV
DS
= 50v, i
D
= 36a
Q
g
–––
79 120 i
D
= 36a
Q
gs
门-至-源 承担
–––
25 37 nC V
DS
= 120v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
–––
34 51 V
GS
= 10v,
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
16
–––
V
DD
= 75v
t
r
–––
47
–––
I
D
= 36a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
28
–––
R
G
= 2.5
t
f
下降 时间
–––
25
–––
V
GS
= 10v

C
iss
输入 电容
–––
2770
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
590
–––
V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容
–––
110
–––
pF
ƒ
= 1.0mhz
C
oss
输出 电容
–––
3940
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 1.0v,
ƒ
= 1.0mhz
C
oss
输出 电容
–––
260
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 120v,
ƒ
= 1.0mhz
C
oss
eff. 有效的 输出 电容
–––
550
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 120v
动态 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
参数 典型值 最大值 单位
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力

–––
470 mJ
I
AR
avalanche 电流
–––
36 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
–––
32 mJ
avalanche 特性
S
D
G
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转

––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压
––– –––
1.5 V T
J
= 25
°
c, i
S
= 36a, v
GS
= 0v

t
rr
反转 恢复 时间
–––
140 210 nS T
J
= 25
°
c, i
F
Q
rr
反转 recoverycharge
–––
780 1170 nC di/dt = 100a/µs
t
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
二极管 特性
60
240
一个
静态的 @ t
J
= 25
°
c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 150
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
0.16
–––
v/
°
c 涉及 至 25
°
c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
––– –––
0.032
V
GS
= 10v, i
D
= 36a

V
gs(th)
门 门槛 电压 3.0
–––
5.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
––– –––
25
µA
V
DS
= 150v, v
GS
= 0v
––– –––
250 V
DS
= 120v, v
GS
= 0v, t
J
= 150
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
100 V
GS
= 30v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
-100
nA
V
GS
= -30v
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
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