IRFB16N60L
smps 场效应晶体管
HEXFET
电源 场效应晶体管
特性 和 益处
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至-220ab
10/19/04
www.irf.com 1
S
D
G
产品
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V
DSS
R
ds(在)
典型值
Trr
典型值
I
D
600V
385m
Ω
130ns 16A
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位s
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
16
I
D
@ t
C
= 100°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
10 一个
I
DM
搏动 流 电流
c
60
P
D
@T
C
= 25°c
电源Dissipation 310 W
直线的 减额 因素 2.5 w/°c
V
GS
Gate-to-源 voltage ±30 V
dv/dt
顶峰 二极管 恢复 dv/dt
e
11 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度,为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw 1.1(10) n•m (lbf•in)
Diode characteristics
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
I
S
持续的 源 电流 ––– ––– 16 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 一个 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 ––– ––– 60 integral 反转
(身体 二极管)
Ã
c
p-n 接合面 diode.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.5 V
T
J
= 25°c, i
S
= 16a, v
GS
= 0v
f
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 130 200 ns
T
J
= 25°c, i
F
= 16a
––– 240 360
T
J
= 125°c, di/dt = 100a/µs
f
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 450 670 nC
T
J
= 25°c, i
S
= 16a, v
GS
= 0v
f
––– 1080 1620
T
J
= 125°c, di/dt = 100a/µs
f
I
RRM
反转 恢复 电流 ––– 5.8 8.7 一个
T
J
= 25°c
t
在
向前 转变-在 时间 Intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 ls+ld)
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