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资料编号:577270
 
资料名称:RFD16N05
 
文件大小: 414.29K
   
说明
 
介绍:
16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
 
 


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6-166
图示 7. 阻抗 vs
电压 和 流 电流
图示 8. NORMALIZED
阻抗 vs 接合面 温度
图示 9. NORMALIZED 门槛 vs 接合面
温度
图示 10. NORMALIZED 损坏
电压 vs 接合面 温度
图示 11. 电容 vs 流 至 源 电压 图示 12. NORMALIZED 切换 波形
常量 门 电流
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
547
1.4
1.1
1.0
0.7
0.9
0.8
0.6
6
0.5
I
D
= 16v
1.2
1.3
normalized 流 至 源
V
DS
= 15v
在 阻抗
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
0
2.5
1.5
0.5
-50
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
2.0
1.0
0
50
normalized 流 至 源
100 200
I
D
= 16a
150
在 阻抗
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
1.1
0.9
0.7
-50
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 门
1.0
0.8
0.6
0 200
门槛 电压
50 100 150
1.2
1.3
1.4
I
D
= 250
µ
一个
V
GS
= v
DS
1.4
1.0
0.8
50-50
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
1.2
0
100 200
损坏 电压
0 150
I
D
= 250
µ
一个
0.6
010152025
c, 电容 (pf)
V
ds,
流 至 源 电压 (v)
2000
1600
1200
0
5
800
400
C
ISS
C
RSS
C
OSS
V
GS
= 0v
f = 1mhz
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
C
OSS
C
DS
+ c
GD
50
37.5
12.5
0
20
I
GREF
()
I
GACT
()
-------------------------
t, 时间 (
µ
s)
80
I
G REF
()
I
G ACT
()
-------------------------
10
8
6
2
0
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
V
DD
= bv
DSS
V
DD
= 0.75 bv
DSS
V
DD
= 0.50 bv
DSS
V
DD
= 0.25 bv
DSS
descending 顺序:
R
L
= 3.125
Ω,
V
GS
= 5v
I
g(ref)
= 0.60ma
25
4
流 源 电压
plateau 电压 在
VOLTAGE
V
DD
= bv
DSS
V
DD
= bv
DSS
rfd16n05l, rfd16n05lsm
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