©2002 仙童 半导体 公司 rfd3055, rfd3055sm, rfp3055 rev. b
图示 6. unclamped inductive 切换 图示 7. 饱和 特性
图示 8. 转移 特性 图示 9. normalized 流 至 源 在
阻抗 vs 接合面 温度
图示 10. normalized 门 门槛 电压 vs
温度
图示 11. normalized 流 至 源 损坏
电压 vs 温度
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
开始 t
J
= 150
o
C
开始 t
J
= 25
o
C
50
10
1
0.001 0.01 0.1 1
t
AV ,
时间 在 avalanche (ms)
如果 r = 0
t
AV
= (l) (i
作
) / (1.3 评估 bv
DSS
- v
DD
)
如果 r
≠
0
t
AV
= (l/r) ln [(i
作
*r) / (1.3 评估 bv
DSS
- v
DD
) + 1]
I
作
, avalanche 电流 (一个)
24
18
12
6
0
0 1.5 3.0 4.5 6.0 7.5
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= 10v
V
GS
= 8v
V
GS
= 7v
V
GS
= 6v
V
GS
= 5v
V
GS
= 4.5v
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
25
o
C
175
o
C
0246810
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
D
, 在 状态 流 电流 (一个)
24
18
12
6
0
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
-55
o
C
V
DS
= 15v
职责 循环 = 0.5% 最大值
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-80 -40 0 40 80 120 160 200
normalized 流 至 源
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
在 阻抗
V
GS
= 10v, i
D
= 12a
职责 循环 = 0.5% 最大值
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-80 -40 0 40 80 160120 200
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 门 门槛 电压
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-80
-40
0
40
80 120 160 200
normalized 流 至 源
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
I
D
= 250
µ
一个
损坏 电压
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