©2002 仙童 半导体 公司 rfd14n05, rfd14n05sm, rfp14n05 rev. b1
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 指定
rfd14n05, rfd14n05sm,
RFP14N05 单位
流 至 源 电压 (便条 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V
DSS
50 V
流 至 门 电压 (r
GS
= 20k
Ω
) (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DGR
50 V
门 至 源 电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V
GS
±
20
V
持续的 流 电流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I
D
搏动 流 电流 (便条 3). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I
DM
14
谈及 至 顶峰 电流 曲线
一个
搏动 avalanche 比率. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .E
作
谈及 至 uis 曲线
电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
减额 在之上 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
48
0.32
W
w/
o
C
运行 和 存储 温度. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
j,
T
STG
-55 至 175
o
C
最大 温度 为 焊接
leads 在 0.063in (1.6mm) 从 情况 为 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T
L
包装 身体 为 10s, 看 techbrief 334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
pkg
300
260
o
C
o
C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 在ly 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1.t
J
= 25
o
c 至 150
o
c.
电的 规格
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 指定
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 损坏 电压 BV
DSS
I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v (图示 9) 50 - - V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个 2 - 4 V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 评估 bv
DSS
, v
GS
= 0v - - 25
µ
一个
V
DS
= 0.8 x 评估 bv
DSS
, v
GS
= 0v, t
C
= 150
o
C - - 250
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±2
0V - -
±
100 nA
流 至 源 在 阻抗 (便条 2) r
ds(在)
I
D
= 14a, v
GS
= 10v, (图示 11) - - 0.100
Ω
转变-在 时间 t
在
V
DD
= 25v, i
D
≈
14a, v
GS
= 10v,
R
GS
= 25
Ω,
R
L
= 1.7
Ω
(图示 13)
- - 60 ns
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
- 14 - ns
上升 时间 t
r
- 26 - ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
- 45 - ns
下降 时间 t
f
- 17 - ns
转变-止 时间 t
止
- - 100 ns
总的 门 承担 Q
g(tot)
V
GS
= 0v 至 20v V
DD
= 40v, i
D
= 14a,
R
L
= 2.86
Ω
I
g(ref)
= 0.4ma
(图示 13)
- - 40 nC
门 承担 在 5v Q
g(10)
V
GS
= 0v 至 10v - - 25 nC
门槛 门 承担 Q
g(th)
V
GS
= 0v 至 2v - - 1.5 nC
输入 电容 C
ISS
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v, f = 1mhz
(图示 12)
- 570 - pF
输出 电容 C
OSS
- 185 - pF
反转 转移 电容 C
RSS
- 50 - pF
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
- - 3.125
o
c/w
热的 阻抗 接合面 至 包围的 R
θ
JA
至-251 和 至-252 - - 100
o
c/w
R
θ
JA
至-220 - - 80
o
c/w
源 至 流 二极管 规格
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
源 至 流 二极管 电压 (便条 2) V
SD
I
SD
= 14a - - 1.5 V
二极管 反转 恢复 时间 t
rr
I
SD
= 14a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - - 125 ns
注释:
2.脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300ms, 职责 循环
≤
2%.
3.repetitive 比率: 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度. 看 瞬时 热的 阻抗 曲线 (图示 3) 和 顶峰电流
能力 曲线 (图示 5).
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