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资料编号:577295
 
资料名称:RFD15N06LESM
 
文件大小: 95.3K
   
说明
 
介绍:
15A, 60V, 0.065 Ohm, ESD Rated, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
 
 


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6-153
图示 12. normalized 门 门槛 电压 vs
接合面 温度
图示 13. NORMALIZED 损坏
电压 vs 接合面 温度
图示 14. 电容 vs 流 至 源 电压
便条: 谈及 至 intersil 应用 注释 an7254 和 an7260.
图示 15. NORMALIZED 切换 波形
常量 门 电流
测试 电路 和 波形
图示 16. unclamped 活力 测试 电路 图示 17. unclamped 活力 波形
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
-80 -40 0 40 80 120 160
normalized 门
门槛 电压
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
200
1.2
0.8
0.6
0.4
1.0
V
GS
= v
DS
,
I
D
= 250
µ
一个
1.2
1.0
0.9
0.8
-80 -40 0 40 80 120 160
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
损坏 电压
200
1.1
I
D
= 250
µ
一个
1200
800
400
0
0 5 10 15 20 25
c, 电容 (pf)
C
RSS
600
C
ISS
C
OSS
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
200
1000
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
C
OSS
C
DS
+ c
GD
60
45
30
15
0
20
I
G REF
()
I
GACT
()
-------------------------
t, 时间 (ms)
80
I
GREF
()
I
GACT
()
-------------------------
5.00
3.75
2.50
1.25
0
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
V
DD
= bv
DSS
V
DD
= bv
DSS
V
DD
= bv
DSS
V
DD
= 0.75 bv
DSS
V
DD
= 0.50 bv
DSS
V
DD
= 0.25 bv
DSS
plateau 电压 在
descending 顺序:
R
L
=4.00
I
g(ref)
= 0.44ma
V
GS
= 5v
t
P
V
GS
0.01
L
I
+
-
V
DS
V
DD
R
G
VARYt
P
至 获得
必需的 顶峰 i
0V
DUT
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
t
AV
0
rfd15n06le, rfd15n06lesm
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