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资料编号:577622
 
资料名称:RFP50N06
 
文件大小: 375.54K
   
说明
 
介绍:
50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
 
 


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4-468
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
rfg50n06, rfp50n06
RF1S50N06SM 单位
流 至 源 电压 (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DSS
60 V
流 至 门 电压 (r
GS
= 20k
) (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DGR
60 V
门 至 源 电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GS
±
20 V
持续的 流 电流 (图示 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .i
D
搏动 流 电流. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
DM
50
(图示 5)
一个
搏动 avalanche 比率 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E
(图示 6, 14, 15)
电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
直线的 减额 因素. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
131
0.877
W
w/
o
C
运行 和 存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
J
, t
STG
-55 至 175
o
C
最大 温度 为 焊接
leads 在 0.063in (1.6mm) 从 情况 为 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
L
包装 身体 为 10s, 看 techbrief 334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t
pkg
300
260
o
C
o
C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 “Absolute 最大 Ratings” 导致 永久的 损坏 设备. 这个 一个 压力 仅有的 比率 operationofthe
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1. T
J
= 25
o
c 至 150
o
c.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 损坏 电压 BV
DSS
I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v (图示 11) 60 - - V
门 至 源 门槛 电压 V
gs(th)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个 (图示 10) 2 - 4 V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 60v,
V
GS
= 0v
T
C
= 25
o
c--1
µ
一个
T
C
= 150
o
c--50
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
20V - -
±
100 nA
流 至 源 在 阻抗 r
ds(在)
I
D
= 50a, v
GS
= 10v (计算数量 9) - - 0.022
转变-在 时间 t
V
DD
= 30v, i
D
= 50a
R
L
= 0.6
, v
GS
= 10v
R
GS
= 3.6
(图示 13)
- - 95 ns
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
-12 - ns
上升 时间 t
r
-55 - ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
-37 - ns
下降 时间 t
f
-13 - ns
转变-止 时间 t
- - 75 ns
总的 门 承担 Q
g(tot)
V
GS
= 0 至 20v V
DD
= 48v, i
D
= 50a,
R
L
= 0.96
I
g(ref)
= 1.45ma
(图示 13)
- 125 150 nC
门 承担 在 10v Q
g(10)
V
GS
= 0 至 10v - 67 80 nC
门槛 门 承担 Q
g(th)
V
GS
= 0 至 2v - 3.7 4.5 nC
输入 电容 C
ISS
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v
f = 1mhz
(图示 12)
- 2020 - pF
输出 电容 C
OSS
- 600 - pF
反转 转移 电容 C
RSS
- 200 - pF
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
(图示 3) - - 1.14
o
c/w
热的 阻抗 接合面 至 包围的 R
θ
JA
至-247 - - 30
o
c/w
至-220, 至-263 - - 62
o
c/w
源 至 流 二极管 specifications
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
源 至 流 二极管 电压 V
SD
I
SD
= 50a - - 1.5 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
SD
= 50a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s - - 125 ns
rfg50n06, rfp50n06, rf1s50n06sm
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