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资料编号:577637
 
资料名称:RFP30P05
 
文件大小: 70.89K
   
说明
 
介绍:
30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4-127
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
rfg30p05, rfp30p05
RF1S30P05SM 单位
流 至 源 电压 (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DSS
-50 V
流 至 门 电压 (r
GS
= 20k
) (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DGR
-50 V
门 至 源 电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GS
±
20 V
持续的 流 电流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
D
搏动 流 电流 (便条 3) (图示 5) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
DM
30
谈及 至 顶峰 电流 曲线
一个
电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
直线的 减额 因素. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
120
0.8
W
w/
o
C
单独的 脉冲波 avalanche 比率 (图示 6) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E
谈及 至 uis 曲线
运行 和 存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T
j,
T
STG
-55 至 175
o
C
最大 温度 为 焊接
leads 在 0.063in (1.6mm) 从 情况 为 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
L
包装 身体 为 10s, 看 techbrief 334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
pkg
300
260
o
C
o
C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 “Absolute 最大 Ratings” 导致 永久的 损坏 设备. 这个 一个 压力 仅有的 比率 operationofthe
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1. T
J
= 25
o
c 至 150
o
c.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 损坏 电压 BV
DSS
I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v -50 - - V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个 -2 - -4 V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 评估 bv
DSS
, v
GS
= 0v - - -1
µ
一个
V
DS
= 0.8 x 评估 bv
DSS
, t
C
= 150
o
C - - -25
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
20V - -
±
100 nA
流 至 源 在 阻抗 r
ds(在)
I
D
= 30a, v
GS
= -10v (图示 9) - - 0.065
转变-在 时间 t
(在)
V
DD
= -25v, i
D
= 15a,
R
L
= 1.67
, v
GS
= -10v,
R
G
= 6.25
(图示 13)
- - 80 ns
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
-15-ns
上升 时间 t
r
-23-ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
-28-ns
下降 时间 t
f
-18-ns
转变-止 时间 t
(止)
- - 100 ns
总的 门 承担 Q
g(tot)
V
GS
= 0 至 -20v V
DD
= -40v,
I
D
= 30a, r
L
= 1.33
Ω,
I
g(ref)
= 1.6ma
- 140 170 nC
门 承担 在 -10v Q
g(-10)
V
GS
= 0 至 -10v - 70 85 nC
门槛 门 承担 Q
g(th)
V
GS
= 0 至 -2v - 5.5 6.6 nC
输入 电容 C
ISS
V
DS
= -25v, v
GS
= 0v
f = 1mhz
(图示 12)
- 3200 - pF
输出 电容 C
OSS
- 800 - pF
反转 转移 电容 C
RSS
- 175 - pF
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
- - 1.25
o
c/w
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
θ
JA
至-220, 至-263 - - 62
o
c/w
至-247 - - 30
o
c/w
源 至 流 二极管 specifications
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
源 至 流 二极管 电压 (便条 2) V
SD
I
SD
= -30a - - -1.5 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
SD
= -30a, di
SD
/dt = -100a/
µ
s - - 150 ns
注释:
2. 搏动: 脉冲波 持续时间 = 300
µ
s 最大值, 职责 循环 = 2%.
3. repetitive 比率: 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度. 看 瞬时 热的 阻抗 曲线 (图示 3).
rfg30p05, rfp30p05, rf1s30p05sm
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